晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

NHUMD2F具有多个关键特性，使其在多种电子电路中表现出色。
　　首先，它的高增益特性使其非常适合用于低频放大电路。在不同的工作电流下，hFE值范围广泛，从110到800不等，这意味着它可以适应多种设计需求。
　　其次，该晶体管的过渡频率（fT）为100MHz，这使得它在高频应用中也能保持良好的性能，适用于射频（RF）和高速开关电路。
　　第三，NHUMD2F的最大集电极-发射极电压为100V，这在同类小型晶体管中属于较高水平，因此可以在较高的电压环境下工作，而不会导致击穿或损坏。
　　此外，SOT-23封装具有较小的体积，便于在高密度PCB设计中使用，同时提供了良好的热管理和电气性能。
　　最后，该晶体管的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，适用于工业级和汽车电子应用，能够在恶劣环境中稳定工作。

NHUMD2F的应用范围非常广泛，主要涵盖以下几个方面：
　　1. **信号放大**：由于其高增益和良好的频率响应，NHUMD2F常用于音频放大器、前置放大器以及射频信号放大电路。
　　2. **开关应用**：该晶体管可以作为高速开关使用，适用于数字电路中的逻辑控制和电源管理。
　　3. **通用电子电路**：在许多模拟和数字电路中，NHUMD2F用于构建基础的电子功能模块，如振荡器、电压调节器等。
　　4. **工业和汽车电子**：由于其宽工作温度范围和高可靠性，NHUMD2F适用于工业控制系统和汽车电子设备，如传感器接口电路、继电器驱动电路等。
　　5. **消费类电子产品**：在手机、平板电脑、智能穿戴设备等便携式电子产品中，NHUMD2F因其小尺寸和高性能而被广泛采用。

2N3904, BC547, PN2222A