时间：2025/7/23 19:13:21
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IXTH20P50P是一款由Littelfuse（原IXYS公司）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电压、高电流应用而设计，具备良好的热稳定性和低导通电阻特性。适用于电源转换器、电机驱动、开关电源（SMPS）以及工业自动化设备等高功率场景。IXTH20P50P采用TO-247封装，具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）：20A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.26Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（PD）：300W
阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
漏极电荷（Qg）：100nC（典型值）
IXTH20P50P具有多项优良特性，适合高功率和高频应用。首先，其500V的漏源电压使其能够应对高压系统，适用于开关电源和电机控制等需要高压隔离的场景。
其次，该MOSFET的最大连续漏极电流可达20A，支持高电流负载，适用于需要大功率输出的电路设计。
此外，该器件的导通电阻RDS(on)最大为0.26Ω，这一低阻值有助于降低导通损耗，提高整体效率。同时，其栅极电荷Qg为100nC，使得在高频开关应用中具备较快的开关速度，减少开关损耗。
IXTH20P50P的TO-247封装形式具备良好的散热能力，能够在高功率工作条件下保持较低的结温，提升器件的可靠性和寿命。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感负载切换时提供额外的保护，增强系统的稳定性。
最后，其栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，便于与各种驱动电路配合使用。
IXTH20P50P广泛应用于多种高功率电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，该MOSFET可用于DC-DC转换器、AC-DC整流器及谐振变换器，其高压和高电流能力能够有效支持电源系统的高效运行。
在电机驱动方面，IXTH20P50P适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的功率驱动电路，其快速开关特性和低导通电阻有助于提高电机效率并降低发热。
工业自动化设备如变频器、伺服驱动器和高频感应加热系统中，该器件可作为主功率开关元件，提供稳定可靠的高压开关性能。
此外，该MOSFET还可用于LED照明驱动、太阳能逆变器以及电动汽车充电模块等新能源应用领域，支持高效率能量转换。
由于其具备较强的抗雪崩能力，IXTH20P50P也常用于需要承受瞬态过压的场合，如继电器替代、电感负载切换和工业自动化保护电路。
IXTH20N50P, IRFP460, FCP50N20, STP20N50
