BUK762R6-60E 是一款由安森美(onsemi)推出的N沟道增强型MOSFET功率晶体导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种功率转换和电机驱动应用。
BUK762R6-60E采用了PQFN5x6封装形式,具有良好的散热性能和紧凑的设计,适合空间受限的应用场景。其额定电压为60V,能够满足大多数低压功率系统的需求。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:39A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:48nC
输入电容:2580pF
开关时间:ton=11ns, toff=19ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:PQFN5x6
1. 极低的导通电阻(1.4mΩ),可显著降低传导损耗。
2. 高电流处理能力(39A连续漏极电流),适合大功率应用。
3. 快速开关特性,有助于提高效率并减少电磁干扰。
4. 具有良好的热稳定性和可靠性,在高温环境下表现优异。
5. 小尺寸PQFN5x6封装,节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准,环保设计。
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. LED照明驱动器中的功率开关元件。
6. 各种DC-DC转换器和逆变器应用。
IRF7843, BUK7Y3R2-40E, FDP5500