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MURB1620CTT4G 发布时间 时间:2025/5/10 13:41:17 查看 阅读:4

MURB1620CTT4G是一款快速恢复整流二极管,由ON Semiconductor(安森美半导体)生产。该二极管适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及各种功率转换应用中,其快速恢复特性可以显著减少开关损耗并提高系统效率。
  该器件采用TO-252封装形式,具有较小的体积和良好的散热性能,非常适合于空间受限的应用场合。

参数

最大正向电流:16A
  峰值反向电压:200V
  正向电压降(典型值):1.1V
  反向恢复时间:35ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  结电容:18pF
  热阻(结到壳):45°C/W

特性

MURB1620CTT4G具备快速恢复特性,能够有效降低开关过程中的反向恢复损耗,从而提高整体电路效率。
  此外,它还具有较低的正向电压降,有助于减少传导损耗。
  由于采用了TO-252封装,这款二极管在安装时更加灵活,并且可以很好地适应表面贴装工艺要求。
  同时,其较高的工作温度范围使得它能够在极端环境下可靠运行,非常适合工业级或汽车级应用。

应用

MURB1620CTT4G广泛应用于各种电力电子领域,例如开关电源、逆变器、电机驱动电路以及电池充电器等。
  在开关电源设计中,该二极管可以用作同步整流器或续流二极管,提供高效的能量转换功能。
  此外,它也可以用于光伏逆变器中的直流链路保护以及电动车控制器中的关键元件之一。

替代型号

MUR1620CTT4G, MURB1620TPBKT4G, RB2016CTT4G

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MURB1620CTT4G参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列SWITCHMODE™
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)975mV @ 8A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)8A
  • 电压 - (Vr)(最大)200V
  • 反向恢复时间(trr)35ns
  • 二极管类型标准
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MURB1620CTT4GOSDKR