型号：UHV1V331MPD
　　制造商：Vishay Siliconix
　　封装/包装：SOT-223
　　晶体管类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800 V
　　连续漏极电流（Id）：1.2 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：4.8 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻 Rds(on)：3.3 Ω（典型值，@ Vgs = 10 V）
　　阈值电压 Vgs(th)：3.0 V（典型值）
　　输入电容 Ciss：35 pF（@ Vds = 25 V）
　　输出电容 Coss：17 pF（@ Vds = 25 V）
　　反向恢复时间 trr：30 ns
　　最大功耗（Ptot）：50 W（Tc=25°C）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　安装类型：表面贴装（SMT）

UHV1V331MPD 作为 Vishay 推出的超高压 N 沟道 MOSFET，具备卓越的电气与热性能表现。其最显著的特性是高达 800V 的漏源击穿电压（Vds），使其能够在高压环境下安全运行，适用于输入电压波动较大的离线式电源系统。这一高耐压能力得益于其优化的超结（Super Junction）或厚外延层技术，能够在不牺牲开关速度的前提下提升器件的耐压等级。此外，该器件在 Vgs = 10 V 条件下的典型导通电阻仅为 3.3 Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。对于小功率反激变换器或辅助电源设计而言，低 Rds(on) 可减少发热，提高系统可靠性。
　　该器件还具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss = 35 pF），这使得其在高频开关应用中所需的驱动能量更少，从而可搭配低成本的 PWM 控制器实现高效控制。同时，较低的输出电容（Coss = 17 pF）有助于减少开关过程中的能量损耗，进一步提升效率。其阈值电压 Vgs(th) 典型值为 3.0 V，确保了在标准逻辑电平或专用栅极驱动电路下能够可靠开启，避免误触发。UHV1V331MPD 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感反冲条件下承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。
　　SOT-223 封装不仅节省 PCB 空间，还具备优良的热传导性能，底部散热片可直接连接至大面积铜箔以增强散热效果，从而在 50W 的最大功耗下仍能维持稳定的结温。该器件的工作结温范围宽达 -55°C 至 +150°C，适应严苛的工业环境。此外，其符合 RoHS 和无卤素要求，满足现代电子产品对环保和可持续发展的需求。总体而言，UHV1V331MPD 在高压、小电流、高效率的应用场景中表现出色，是电源管理设计中值得信赖的核心元件。

UHV1V331MPD 广泛应用于多种需要高电压隔离与高效能量转换的电源系统中。其主要用途包括离线式 AC-DC 开关电源，尤其是在待机电源、辅助电源轨（auxiliary supply）和小功率反激式转换器中表现突出。例如，在电视、机顶盒、路由器等消费类电子设备中，该器件常被用作主开关管或启动电路中的功率开关，实现从交流电网到低压直流的高效转换。在 LED 照明驱动电源中，UHV1V331MPD 可用于隔离型恒流驱动方案，提供稳定可靠的输出，同时满足能效与体积限制要求。
　　在工业控制领域，该器件适用于 PLC（可编程逻辑控制器）、传感器供电模块和小型电源适配器中，特别是在空间受限但需承受较高输入电压的场合。此外，它也可用于电信设备中的 DC-DC 前置级转换器，将高压直流母线（如 48 V）转换为较低电压供内部电路使用。由于其具备良好的高温稳定性和抗干扰能力，UHV1V331MPD 还可用于环境温度变化剧烈的户外设备或工业自动化系统。
　　在电池充电器、智能家居网关、IoT 网络节点等新兴应用中，该器件凭借其高集成度、小封装和高可靠性，成为实现紧凑型、长寿命电源设计的理想选择。同时，其快速开关特性也支持轻载条件下的高效率运行，满足 Energy Star 或 CoC 等能效标准的要求。总之，UHV1V331MPD 特别适合那些要求在有限 PCB 面积内实现 800V 耐压、1A 左右电流承载能力的中小功率电源设计。

STTH1R06U
　　P6KE8.0A
　　MUR1620CTR