类型：MOSFET
　　晶体管配置：双路N沟道
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（最大值，VGS=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT26

DI502SIA是一款高性能MOSFET，具有多项优异特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用双路N沟道MOSFET设计，允许在单个封装内实现多个开关功能，从而简化电路设计并节省PCB空间。
　　DI502SIA的高开关速度使其非常适合用于高频应用，如DC-DC转换器、负载开关和马达驱动器。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提高了整体系统的可靠性。
　　其SOT26封装形式不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，适用于便携式电子产品、智能手机、可穿戴设备等对空间和功耗有严格要求的应用场景。此外，DI502SIA的栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制电路的兼容性，进一步提高了其应用灵活性。

DI502SIA广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其适用于对效率和空间要求较高的场景。例如，在便携式电子产品中，它常用于电源管理电路，作为负载开关或电源路径控制器，以提高电池使用效率并延长续航时间。在DC-DC转换器中，DI502SIA的低导通电阻和高开关速度可有效降低能量损耗，提升转换效率。
　　此外，该器件还可用于马达驱动电路，实现对小型直流马达的高效控制。由于其良好的热稳定性和可靠性，DI502SIA也常用于工业控制设备、智能家居产品和物联网（IoT）设备中，作为关键的功率开关元件。在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、LED照明驱动电路等应用，满足汽车环境中对器件稳定性和可靠性的严格要求。

SI7156DP-T1-GE3, FDMC7680, AO4406A