RFH75N05 时间：2025/8/24 16:20:51 阅读：5

RFH75N05是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，由瑞萨电子（Renesas Electronics）生产。该器件设计用于高电流和高频率应用，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于电源管理和功率转换系统。RFH75N05采用先进的沟槽技术，确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗。此外，其封装设计具有良好的热性能，有助于提高系统的稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：50V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极连续电流（ID）：75A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：5.8mΩ（最大值，典型值可能更低）
　　功率耗散（PD）：170W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

RFH75N05的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中具有极低的传导损耗，从而提高了系统的整体效率。该器件的RDS(on)在工作温度范围内保持稳定，能够有效减少功率损耗和发热。同时，RFH75N05采用了先进的沟槽结构，优化了电场分布，从而提高了器件的击穿电压能力和可靠性。
　　此外，RFH75N05具有高开关速度，适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高转换效率。该MOSFET的热阻较低，封装设计优化了散热性能，使其在高负载条件下仍能保持良好的工作状态。
　　RFH75N05还具有良好的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，避免器件损坏。这使得它在需要高可靠性和稳定性的工业和汽车应用中表现出色。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于环保要求较高的电子产品设计。

应用

RFH75N05广泛应用于各种高功率和高频率的电子系统中。例如，它可用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器和负载开关等电路。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效能转换的电源管理系统。
　　在汽车电子领域，RFH75N05可用于车载电源管理、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）以及电池管理系统（BMS）等应用。其高可靠性和良好的热管理性能，使其能够在恶劣的汽车工作环境中稳定运行。
　　此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、逆变器以及高功率LED照明驱动电路。其优异的开关性能和耐久性，使其成为许多高性能电源设计的首选器件。