2SK3018S3是一款N沟道功率MOSFET晶体管,属于富士电机(Fuji Electric)生产的Super Junction MOSFET系列。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器和其他高效能电力电子应用。
2SK3018S3通过优化的超结结构设计,在高电压操作条件下提供了卓越的效率和可靠性。其紧凑的封装形式使其非常适合于空间受限的设计环境。
最大漏源电压:750V
连续漏极电流:4.6A
导通电阻(典型值):1.9Ω
栅极阈值电压:4V
总功耗:23W
工作温度范围:-55℃ to +150℃
2SK3018S3采用先进的超结技术,具备以下特点:
1. 高击穿电压能力,能够承受高达750V的工作电压,适合高压应用场景。
2. 低导通电阻设计,在大电流下减少功率损耗,从而提高系统效率。
3. 快速开关性能,有助于降低开关损耗并支持高频工作模式。
4. 紧凑型封装,方便安装在小型化设备中。
5. 具有良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣环境下长时间运行。
这些特性使2SK3018S3成为各类工业及消费类电力转换设备的理想选择。
2SK3018S3主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),如笔记本适配器、LED驱动器等。
2. DC-DC转换器,用于电动汽车、通信设备等领域。
3. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统中的功率调节。
4. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
由于其优异的电气特性和稳定性,这款器件特别适合要求高效率和高可靠性的场景。
2SK3017S3, IRFZ44N, FQP17N50