BAV99T JE 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出的双通道小信号通用开关二极管,广泛应用于各种电子设备中,作为高速开关使用。该器件采用SOT-23(小外形晶体管)封装,适合在空间受限的设计中使用。BAV99T JE 由两个独立的二极管组成,具有低电容、高速开关特性和较高的可靠性,适用于高频电路中的信号整流、保护电路和电压钳位等应用场景。
类型:小信号二极管
配置:双路(Dual)
封装:SOT-23
最大正向电流:100 mA
最大反向电压:100 V
正向电压(典型值):1.25 V @ 10 mA
反向漏电流(最大值):100 nA @ 75 V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
结电容(典型值):10 pF @ 0 V
反向恢复时间(trr,最大值):4 ns @ IF=10 mA, IR=10 mA
BAV99T JE 的特性主要体现在其高速开关能力和低电容设计,使其非常适合用于高频电路和数字电路中的信号整流与保护功能。该器件的两个独立二极管能够分别工作,提供了更高的灵活性。其SOT-23封装形式不仅节省空间,还便于自动化贴装工艺,提高了生产效率。
此外,BAV99T JE 具有良好的热稳定性和机械稳定性,能够在恶劣的工作环境中保持可靠运行。其最大正向电流为100 mA,最大反向电压可达100 V,适用于多种通用开关应用场景。正向电压降在10 mA电流下仅为1.25 V,有助于减少功耗并提高能效。反向漏电流极低,确保了在高阻断电压下的性能稳定性。
该器件的反向恢复时间(trr)非常短,仅为4 ns,使其能够在高速开关应用中表现出色,如通信设备、计算机外围设备、消费电子产品和工业控制系统等。
BAV99T JE 主要用于需要高速开关特性和低电容的电子电路中,常见的应用包括信号整流、电压钳位、保护电路、逻辑门电路中的隔离功能以及高频开关电路等。由于其双路二极管结构,BAV99T JE 在数字电路和模拟电路中都具有广泛的应用,如用于保护输入/输出端口免受静电放电(ESD)或过电压的影响。
在通信设备中,BAV99T JE 可用于射频(RF)信号路径中的开关控制和信号隔离;在计算机和外围设备中,可用于接口保护和电源管理电路;在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中,可用于保护敏感的电子元件免受瞬态电压冲击;在工业控制系统中,BAV99T JE 可用于PLC(可编程逻辑控制器)和传感器接口中的信号处理和保护。
1N4148WS, BAS70-04