时间：2025/4/29 11:25:24
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IRFR9120N是一款由英飞凌（Infineon）制造的高性能MOSFET晶体管，具体为P沟道增强型垂直DMOS场效应晶体管。该器件采用TO-263封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等领域。其主要特点是低导通电阻和高电流处理能力，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
该器件具有出色的热性能和电气特性，适合用于需要高效能和高可靠性的电路设计中。
型号：IRFR9120N
类型：P-Channel MOSFET
封装：TO-263
Vds（漏源电压）：-55V
Rds(on)（导通电阻）：8mΩ（典型值，Vgs=-10V时）
Id（连续漏极电流）：-47A
Ptot（总功耗）：110W
结温范围：-55°C 至 +175°C
Vgs（栅源电压）：±20V
Qg（栅极电荷）：21nC（最大值）
IRFR9120N的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低导通损耗，提升整体效率。
2. 高额定电流能力，可支持高达47A的连续漏极电流，适用于大功率应用。
3. 良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。
4. 快速开关速度，有助于减少开关损耗。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
6. 封装坚固耐用，能够承受较高的机械应力。
IRFR9120N常被用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的主开关或续流二极管替代。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率控制元件。
5. 各类工业设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子中的电源切换和保护功能。
7. 其他需要高效功率开关的应用领域。
IRFP9120, IRFR9122
