类型：NPN晶体管阵列
　　封装：SOT-23-6
　　最大集电极电流：100 mA
　　最大集电极-发射极电压：30 V
　　最大集电极-基极电压：50 V
　　最大功耗：300 mW
　　增益带宽积：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

ZM7308G-65502-T2 是一款高性能的NPN晶体管阵列，具有低噪声、高增益和高频响应的特点。其采用SOT-23-6封装，尺寸小巧，便于在高密度PCB布局中使用。该器件集成了两个独立的NPN晶体管，使得它非常适合需要多个晶体管的应用，例如数字逻辑电路、低功率放大器和开关电路。
　　其主要特性包括：
　　1. **高电流增益（hFE）**：在不同的工作条件下，其电流增益范围为110至800，使其适用于各种放大和开关应用。
　　2. **高频性能**：增益带宽积为100 MHz，适合用于高频信号处理和射频应用。
　　3. **低噪声设计**：由于其优化的半导体结构，该晶体管在信号放大应用中表现出较低的噪声水平，适用于音频放大器和传感器信号调理电路。
　　4. **热稳定性好**：其工作温度范围为-55°C至+150°C，确保在极端环境下仍能稳定运行。
　　5. **低功耗**：最大功耗为300 mW，适合用于低功耗设计和便携式设备。
　　6. **集成化设计**：两个晶体管集成在一个封装中，减少了PCB上的元件数量，简化了电路设计并提高了可靠性。

ZM7308G-65502-T2 主要应用于以下领域：
　　1. **数字和模拟电路设计**：如逻辑门、缓冲器和驱动电路。
　　2. **电源管理**：用于低功耗稳压器和DC-DC转换器中的开关控制。
　　3. **信号放大**：适用于音频放大器和传感器信号调理电路。
　　4. **通信设备**：作为射频前端或中频放大器的一部分，处理高频信号。
　　5. **工业自动化**：用于传感器接口电路和执行器控制电路。
　　6. **消费电子产品**：包括手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号处理和驱动电路。

ZM7308G-65502-T2的替代型号包括ZM7308G-65501-T2、ZM7308G-65503-T2、BCX56-10、2N3904、BC547等。