时间：2025/9/2 12:53:44
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HY5PS1G1631CFP-C4 是由SK hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM芯片，属于移动低功耗DRAM（mDRAM）类型。该芯片设计用于移动设备，如智能手机和平板电脑，旨在提供高数据传输速率的同时保持低功耗特性。HY5PS1G1631CFP-C4 采用16位总线宽度，容量为1Gb（256M x16），支持LPDDR3 SDRAM标准，工作电压为1.2V至1.5V。
容量：1Gb
组织结构：256M x16
类型：LPDDR3 SDRAM
电压：1.2V - 1.5V
封装：134-ball FBGA
时钟频率：高达800MHz
数据速率：1600Mbps
工作温度：-40°C 至 +85°C
HY5PS1G1631CFP-C4 的主要特性包括低功耗操作、高数据传输速率和紧凑的封装设计。其低功耗模式（如深度掉电模式和自刷新模式）使其非常适合用于电池供电设备，以延长续航时间。此外，该芯片具备高速数据传输能力，适用于需要快速数据处理的应用场景。封装采用134-ball FBGA形式，体积小巧，便于在移动设备中集成。HY5PS1G1631CFP-C4 还支持多种温度范围，确保在各种环境条件下稳定运行。
该芯片广泛应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他需要高性能和低功耗内存的便携式电子产品中。由于其高速数据处理能力和低功耗设计，HY5PS1G1631CFP-C4 非常适合用于图形处理、多媒体播放和复杂应用程序的运行。
MT48LC16M16A2B4-6A:Hynix HY5PS1G1631CFP-C4 的替代型号包括美光（Micron）的 MT48LC16M16A2B4-6A 和三星（Samsung）的 K4B2G1646Q-YBLC。这些型号在性能和封装上与 HY5PS1G1631CFP-C4 相似，可以作为替代选择，但需确认具体应用中的兼容性和电气特性是否匹配。
