SD600N28PC 时间：2025/12/26 20:23:08 阅读：18

SD600N28PC是一款由Vishay Semiconductors生产的高电压、大电流的n通道MOSFET功率晶体管，专为高频开关应用设计，广泛应用于电源转换系统、DC-DC变换器、电机驱动以及逆变器等工业和消费类电子设备中。该器件采用先进的沟槽型场效应技术制造，能够在高温和高应力环境下保持稳定的工作性能，具备优良的热稳定性和可靠性。SD600N28PC封装在TO-247形式的三引脚塑料封装中，具有良好的散热能力，适用于需要高效能功率处理的应用场景。该MOSFET的额定电压高达280V，能够承受瞬态高压脉冲，适合用于离线式开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流电路。其低导通电阻和快速开关特性有助于降低系统功耗，提高整体能效。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，增强了在恶劣工作条件下的耐用性。

参数

型号：SD600N28PC
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：280 V
　　最大漏极电流（Id）：60 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on)：典型值35 mΩ（在Vgs = 10 V时）
　　阈值电压（Vth）：典型值3.5 V
　　最大功耗（Ptot）：300 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　输入电容（Ciss）：约5000 pF
　　输出电容（Coss）：约1200 pF
　　反向恢复时间（trr）：约50 ns
　　封装形式：TO-247

特性

SD600N28PC具备卓越的电气与热性能，使其成为高性能功率开关应用的理想选择。首先，其低导通电阻Rds(on)仅为35 mΩ左右，在高电流条件下显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性对于大功率DC-DC转换器尤为重要，因为它可以直接减少发热并提升能量利用率。其次，该器件采用了优化的沟槽栅结构技术，实现了快速的开关速度，从而减少了开关过程中的过渡损耗，尤其适用于高频操作环境（如数百kHz以上的开关频率）。这种快速响应能力使得它非常适合用于现代高效开关电源设计中。
　　此外，SD600N28PC具有出色的热稳定性，得益于其TO-247封装提供的优良散热路径，可以在高温环境下长时间可靠运行。其最大功耗可达300W，结温范围宽达-55°C至+150°C，确保了在极端温度条件下依然保持稳定的性能表现。该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，意味着即使在遭遇电压过冲或负载突变等异常情况时，也能有效防止器件损坏，提升了系统的鲁棒性。
　　另一个关键优势是其栅极驱动兼容性强，阈值电压约为3.5V，可与常见的PWM控制器和驱动IC良好匹配，简化了驱动电路的设计。同时，±20V的栅源电压耐受能力提供了额外的安全裕度，避免因驱动信号波动导致栅氧击穿。输入和输出电容经过优化，有助于控制EMI噪声水平，提升电磁兼容性。总之，SD600N28PC凭借其高电压耐受、低导通损耗、快速开关及高可靠性，成为工业电源、太阳能逆变器、UPS系统和电动工具驱动等领域中的优选功率器件。

应用

SD600N28PC主要应用于各类高功率密度的开关电源系统，包括离线式AC-DC适配器、服务器电源模块以及电信整流器等。由于其支持280V的高漏源电压，特别适用于PFC（功率因数校正）升压级电路中的主开关元件，帮助实现高效的能量转换和合规的电网接口标准。此外，在DC-DC变换器中，无论是半桥还是全桥拓扑结构，该器件都能胜任高频率硬开关或谐振软开关的工作模式，广泛用于车载充电机、工业电源和可再生能源系统如光伏逆变器中。
　　在电机控制领域，SD600N28PC可用于中高功率BLDC（无刷直流电机）或PMSM（永磁同步电机）的驱动桥臂，提供快速响应和低损耗的开关动作，确保电机运行平稳且高效。其高电流承载能力（60A）也使其适用于电动工具、电动自行车控制器等对瞬时扭矩要求较高的场合。同时，在不间断电源（UPS）系统中，该MOSFET常被用作逆变器级的核心开关器件，负责将直流母线电压转换为交流输出，保障关键设备的持续供电。
　　另外，该器件还可用于感应加热、焊接设备和激光电源等特种工业设备中，作为主功率开关使用。其坚固的结构设计和抗干扰能力强的特点，使其能够在复杂电磁环境中稳定运行。综合来看，SD600N28PC适用于所有需要高效率、高可靠性和高功率处理能力的电力电子系统，是现代绿色能源和智能电力管理方案中的关键组件之一。