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SST39WF1601-90-4I-MBQE-T 发布时间 时间:2025/7/25 7:56:40 查看 阅读:8

SST39WF1601-90-4I-MBQE-T 是由 Microchip Technology(原 SST 公司)生产的一款并行 NOR 闪存(Flash Memory)芯片。该芯片具有 16 Mbit(1 MB)的存储容量,采用 512K x32 位的组织结构,支持高速读取和低功耗操作。SST39WF1601 专为嵌入式系统、工业控制、通信设备和汽车电子等应用设计,提供高可靠性和稳定性。

参数

容量:16 Mbit
  组织结构:512K x32 位
  供电电压:2.7V 至 3.6V
  最大访问时间:90ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装引脚数:56
  封装尺寸:14mm x 20mm
  读取电流(最大):10mA
  待机电流(最大):10μA

特性

SST39WF1601-90-4I-MBQE-T 是一款高性能的 NOR Flash 存储器,其主要特点包括高速读取能力、低功耗设计以及宽温工作范围,适用于多种工业和嵌入式应用场景。
  首先,该芯片的最大访问时间为 90ns,能够满足高速数据读取需求,适用于需要快速启动和执行代码的应用,如固件存储和程序引导。其并行接口支持标准的 SRAM 读取时序,兼容多种主控器接口设计,简化了系统集成。
  其次,该器件的供电电压范围为 2.7V 至 3.6V,适用于多种电源系统设计,具备良好的电压适应性。在正常工作模式下,其典型读取电流仅为 10mA,显著降低了系统功耗,非常适合低功耗应用场景。在待机模式下,其电流消耗可低至 10μA,进一步延长了电池供电设备的使用时间。
  该芯片采用 56 引脚 TSOP 封装,尺寸为 14mm x 20mm,便于在空间受限的 PCB 设计中使用。此外,其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,满足工业级和汽车级工作环境的需求,适合用于各种严苛条件下的应用。
  安全性方面,SST39WF1601 提供了软件数据保护机制,防止误写入操作,确保数据存储的可靠性。其内置的擦写/写保护功能可以对任意扇区进行单独锁定,从而实现更灵活的存储管理策略。

应用

SST39WF1601-90-4I-MBQE-T 主要用于需要高速代码执行和低功耗运行的嵌入式系统中。典型应用包括:
  工业控制系统:如 PLC 控制器、人机界面(HMI)设备、工业通信模块等,用于存储程序代码、配置数据和固件更新。
  汽车电子设备:如车载信息娱乐系统(IVI)、仪表盘控制单元、ADAS 辅助驾驶模块等,用于稳定可靠的代码存储与执行。
  网络通信设备:如路由器、交换机、无线接入点等,作为启动代码(Bootloader)和固件的存储介质。
  消费类电子产品:例如数字机顶盒、智能家电控制器、手持终端设备等,用于存储操作系统、应用软件和用户配置信息。
  此外,该芯片也可用于测试仪器、医疗设备、安防监控系统等领域,满足各种需要高性能非易失性存储的场景。

替代型号

SST39WF1601-70-4I-MBQE-T, SST39WF1602, AM29LV160DB, MX29LV160EB

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SST39WF1601-90-4I-MBQE-T参数

  • 标准包装2,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列SST39 MPF™
  • 格式 - 存储器闪存
  • 存储器类型FLASH
  • 存储容量16M (1M x 16)
  • 速度90ns
  • 接口并联
  • 电源电压1.65 V ~ 1.95 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳48-WFBGA
  • 供应商设备封装48-WFBGA(5x6)
  • 包装带卷 (TR)