BU508DFI
时间:2022/12/21 14:33:45
阅读:773
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 数字晶体管
配置: Single
晶体管极性: NPN
封装 / 箱体: SOT-93
概述
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 数字晶体管
配置: Single
晶体管极性: NPN
封装 / 箱体: SOT-93
集电极—发射极最大电压 VCEO: 700 V
集电极连续电流: 8 A
峰值直流集电极电流: 8000 mA
功率耗散: 50 W
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
发射极 - 基极电压 VEBO: 10 V
最小工作温度: - 65 C
安装风格: Through Hole
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BU508DFI参数
- 制造商STMicroelectronics
- 产品种类Transistors Switching (Resistor Biased)
- 配置Single
- 晶体管极性NPN
- 安装风格SMD/SMT
- 封装 / 箱体SOT-93-3
- 集电极—发射极最大电压 VCEO700 V
- 集电极连续电流8 A
- 峰值直流集电极电流8000 mA
- 功率耗散50 W
- 最大工作温度+ 150 C
- 封装Tube
- 发射极 - 基极电压 VEBO10 V
- 最小工作温度- 65 C
- 工厂包装数量30