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BU508DFI 发布时间 时间:2022/12/21 14:33:45 查看 阅读:773

    制造商: STMicroelectronics

    产品种类: 数字晶体管

    配置: Single

    晶体管极性: NPN

    封装 / 箱体: SOT-93

    

目录

概述

    制造商: STMicroelectronics

    产品种类: 数字晶体管

    配置: Single

    晶体管极性: NPN

    封装 / 箱体: SOT-93

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 700 V

    集电极连续电流: 8 A

    峰值直流集电极电流: 8000 mA

    功率耗散: 50 W

    最大工作温度: + 150 C

    封装: Tube

    发射极 - 基极电压 VEBO: 10 V

    最小工作温度: - 65 C

    安装风格: Through Hole


资料

厂商
STMICROELECTRONICS

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BU508DFI参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 产品种类Transistors Switching (Resistor Biased)
  • 配置Single
  • 晶体管极性NPN
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-93-3
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO700 V
  • 集电极连续电流8 A
  • 峰值直流集电极电流8000 mA
  • 功率耗散50 W
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装Tube
  • 发射极 - 基极电压 VEBO10 V
  • 最小工作温度- 65 C
  • 工厂包装数量30