时间：2025/8/9 15:32:56
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2SK2875是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高频开关应用和功率放大器电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于需要高效率和高性能的电子设备。2SK2875通常用于DC-DC转换器、电源管理模块以及各种高频应用中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤0.45Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220、TO-252等
2SK2875具有多项显著的技术特性，使其在高频功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。其次，该器件的高开关速度使其适用于高频开关电路，如DC-DC转换器、同步整流器和开关电源。此外，2SK2875的热稳定性良好，在高温环境下仍能维持稳定的工作状态，减少了对散热器的需求。该器件还具有较高的栅极击穿电压（±20V），提高了抗干扰能力和工作可靠性。其常见的TO-220封装形式便于安装和散热，适用于多种工业和消费类电子产品。2SK2875的这些特性使其成为一款性能优异、适用范围广泛的功率MOSFET。
2SK2875主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、马达驱动电路、电池管理系统、电源管理模块、LED驱动器以及各种需要高效功率控制的电子设备中。由于其优异的导通性能和高频响应能力，该器件在便携式电子产品、工业控制系统和汽车电子系统中得到了广泛应用。
Si4410BDY、IRFZ44N、FDP6N60、2SK2696
