时间：2025/8/25 5:17:20
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HGT1S2N120BNDS 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高电压和高电流的应用。这款MOSFET具有高性能和可靠性，适用于电力电子设备中的开关和功率控制功能。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：2A
漏源电压（VDS）：1200V
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大）
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
最大功耗：30W
HGT1S2N120BNDS 具有高电压和高电流的特性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其高栅极绝缘性能和低导通电阻，使其在高频开关应用中表现出色，减少了功率损耗并提高了效率。此外，该MOSFET的封装设计便于散热，能够有效降低温度对器件性能的影响。
该器件还具有优异的耐用性和抗冲击能力，适合在工业和高可靠性要求的应用中使用。其高耐压能力（1200V）使其特别适合用于高电压直流（HVDC）系统和逆变器等场合。
HGT1S2N120BNDS 广泛应用于电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、逆变器、马达驱动器、充电器、电焊机以及工业自动化设备。此外，它还适合用于需要高电压隔离和高效率的电力转换系统，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
STP120N120A, FGL40N120AND, 2SK2545
