类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 700（测试条件IC = 2mA）
　　特征频率（fT）：8GHz
　　噪声系数（NF）：1.3dB（典型值，f = 1.6GHz）
　　工作结温（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-457（超薄小外形晶体管）

2SC5763晶体管具备出色的高频响应能力，其特征频率（fT）高达8GHz，使其非常适合应用于高频小信号放大场景，如UHF电视调谐器、FM收音机前端、GPS接收模块以及无线局域网（WLAN）系统中的低噪声放大器（LNA）。该器件在1.6GHz频率下的典型噪声系数仅为1.3dB，表现出卓越的低噪声性能，能够有效提升接收系统的信噪比，增强信号接收灵敏度。
　　该晶体管的直流电流增益（hFE）范围宽广，为70至700，在不同工作电流下仍能保持较高的增益一致性，有利于简化电路设计并提高系统稳定性。同时，其最大集电极电流为100mA，足以满足大多数小信号放大和驱动需求，且在低电流工作状态下仍能维持良好的增益表现。
　　2SC5763采用SOT-457小型表面贴装封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，适用于紧凑型电子设备。该封装具有较低的寄生电感和电容，有助于在高频应用中减少信号损耗和相位失真。此外，器件的热阻特性优良，能够在高温环境下长时间稳定运行，提升了系统整体的可靠性。
　　该晶体管还具备良好的线性度和较低的互调失真，适用于对信号保真度要求较高的模拟射频电路。其电气参数经过严格筛选和测试，确保批次间的一致性，有利于大规模生产中的品质控制。综合来看，2SC5763是一款专为高性能射频前端设计优化的晶体管，在噪声、增益、频率响应和封装尺寸之间实现了良好平衡。

2SC5763广泛应用于高频模拟信号处理领域，尤其是在需要低噪声放大的射频前端电路中。典型应用场景包括电视调谐器中的中频（IF）和射频（RF）放大级，用于增强微弱的广播信号以提高图像和声音质量。在卫星接收系统（如DBS、DTH）中，该器件可用于低噪声块下行变频器（LNB）的前置放大，有效提升接收灵敏度和抗干扰能力。
　　此外，2SC5763也适用于无线通信设备，如Wi-Fi模块、蓝牙收发器、ZigBee网络节点等，在这些系统中作为低噪声放大器或缓冲放大器使用，以增强微弱信号的强度。在移动通信基础设施中，该晶体管可用于小型基站或中继器的射频前端设计。
　　其他应用还包括GPS导航接收机、汽车音响系统、无线麦克风、对讲机以及各类便携式无线终端设备。由于其小型化封装和低功耗特性，特别适合电池供电的便携式电子产品。在测试测量仪器中，如频谱分析仪或信号发生器的输入级，也可采用2SC5763来实现高保真信号放大。总之，凡是需要在高频段实现低噪声、高增益放大的场合，2SC5763都是一个可靠且高效的选择。

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　　 "2SC5762",
　　 "2SC5764",
　　 "MMBT3904",
　　 "2N5179",
　　 "BFQ67"
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