时间：2025/8/9 0:37:37
阅读：14
2SK3676-01L 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关和功率放大应用。这款MOSFET专为低导通电阻（RDS(on)）和高可靠性而设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电池充电器以及电机控制等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：30V
最大漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：1.8mΩ @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
最大功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-247AD
2SK3676-01L MOSFET采用了先进的沟槽式结构和低电阻硅技术，实现了极低的RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了效率。其高电流承载能力和低热阻特性使其在高功率应用中表现优异。
此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频操作，从而减小了外部滤波元件的尺寸并提高了系统效率。其栅极驱动电压范围较宽，支持10V标准驱动器的使用，简化了电路设计。
在可靠性方面，2SK3676-01L通过了严格的工业测试标准，具备良好的短路耐受能力和热稳定性，适合在严苛环境下工作。其TO-247AD封装具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
2SK3676-01L MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：电源转换器（如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器）、电机驱动电路、电池管理系统、高频功率放大器、工业自动化设备和电动车电源控制系统。
由于其高可靠性和优异的导通性能，该器件也常用于需要高效率和高稳定性的工业级电源模块以及高频逆变器设计中。
SiHF100N03LT, IRF1010E, FDP100N03AL
