2SK2687-01 时间：2025/8/9 14:58:05 阅读：30

2SK2687-01是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道MOSFET，广泛用于高频开关应用和功率放大器电路中。该器件设计用于高效率和低导通电阻，适用于各种电源管理和DC-DC转换器应用。该MOSFET具有良好的热稳定性和快速开关特性，能够在高温环境下稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（最大值）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

2SK2687-01 MOSFET采用了先进的沟槽式结构，使得导通电阻显著降低，从而提高了整体效率。此外，该器件具有极低的输入电容（Ciss），使其在高频开关应用中表现出色。由于其快速的开关速度和低门极电荷（Qg），2SK2687-01非常适合用于高频PWM控制和高效率电源转换器。
　　在热性能方面，该MOSFET采用高导热材料和优化的封装结构，确保在高负载条件下仍能保持较低的温度上升。此外，该器件的封装设计有助于提高PCB布局的灵活性，并增强了散热能力，从而延长了使用寿命。
　　2SK2687-01还具备良好的短路耐受能力和过载保护特性，这使得它在恶劣的电气环境下依然能够保持稳定运行。此外，该MOSFET的封装符合RoHS环保标准，适合用于环保要求较高的电子产品。

应用

2SK2687-01主要用于各种电源管理应用，包括同步整流器、DC-DC转换器、电池充电器和负载开关。它还广泛用于电机控制、电源适配器、UPS系统以及工业自动化设备中的功率开关部分。
　　在汽车电子领域，该器件常用于车载充电系统、LED照明驱动电路以及电池管理系统（BMS）。此外，2SK2687-01也可用于高性能音频放大器和射频（RF）功率放大器中，提供高效的功率输出。
　　在服务器和通信设备中，该MOSFET被广泛用于高密度电源模块和热插拔电路中，以实现高效率和高可靠性。此外，由于其优异的高频性能，它也常用于高频逆变器和无线充电系统中。