类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：2A
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.0Ω
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　封装类型：TO-220

KF2N60D MOSFET具有多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（600V）使其非常适合用于高压电源转换系统。该器件的导通电阻较低，通常不超过3.0Ω，这有助于降低导通损耗并提高效率。此外，KF2N60D的栅极驱动电压范围为±20V，提供了较大的设计灵活性，并确保了在不同工作条件下的稳定运行。
　　该MOSFET还具备良好的热性能，其最大功耗为50W，支持在高负载条件下持续工作。工作温度范围从-55°C到150°C，使得KF2N60D能够在极端环境下保持稳定性能。其TO-220封装不仅便于安装，还具备良好的散热能力，有助于延长器件的使用寿命。
　　KF2N60D的阈值电压在2V到4V之间，这意味着它可以与常见的驱动电路兼容，无需额外的偏置电源。这种特性降低了设计复杂性，并减少了外围电路的成本。此外，KF2N60D的响应速度快，适合用于高频开关电路，从而进一步提升系统的整体效率。由于其出色的电气和热性能，KF2N60D在多种电力电子应用中得到了广泛应用。

KF2N60D MOSFET主要用于高压和高功率电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机控制电路、照明系统（如LED驱动器）以及各种类型的功率调节设备。由于其高耐压和良好的导通性能，KF2N60D也非常适合用于工业自动化设备和消费类电子产品中的电源管理模块。

2N60D, FQP2N60C, IRF2N60D1, STP2N60DM2, NCE2N60