时间：2025/6/25 16:33:49
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PBSS4021NX 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。它广泛应用于各种电源管理电路、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中。
该型号属于小信号 MOSFET 类别，适用于低压应用场合，其封装形式通常为小型表面贴装类型，便于在高密度 PCB 板上使用。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：2.7A
导通电阻(Rds(on))：90mΩ
栅极电荷(Qg)：6nC
工作温度范围(Ta)：-55℃ to +150℃
PBSS4021NX 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 小型化封装设计，节省电路板空间。
4. 较高的雪崩击穿能量承受能力，增强了器件的可靠性。
5. 稳定的工作性能，在较宽的温度范围内仍能保持良好表现。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保无铅材料制作。
PBSS4021NX 主要用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 手机、平板电脑等消费类电子产品中的负载开关。
3. 电池保护电路和过流保护方案。
4. 小功率电机控制及驱动。
5. 各种需要低导通损耗和快速切换的应用场景。
AO3401A
IRLML6402
FDMQ8202
