类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极击穿电压：500V
　　最大连续漏极电流：4A
　　漏极-栅极击穿电压：500V
　　栅极-源极电压范围：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（典型值）
　　最大功率耗散：50W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-220

2SK1845具有多项优异的电气和物理特性，能够满足多种功率应用的需求。首先，其500V的漏极-源极击穿电压使其适用于中高压电源转换系统，确保在高压环境下仍能稳定工作。其次，最大连续漏极电流为4A，支持较高的功率输出。此外，该MOSFET的导通电阻约为1.2Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。
　　在封装方面，2SK1845采用TO-220标准封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，方便在各类电路板上安装和使用。该器件的栅极-源极电压范围为±30V，具备较强的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中可靠运行。
　　另外，2SK1845的最大功率耗散为50W，能够在较高的工作温度下维持性能稳定，同时支持较宽的工作温度范围（-55℃至+150℃），适用于工业级和消费级应用场景。

2SK1845广泛应用于各种电源转换和功率控制电路中，例如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制电路、电池充电器以及各种电源管理系统。其高耐压特性和较低的导通电阻也使其成为电源管理和节能设备中的优选器件。
　　此外，该MOSFET还可用于逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化控制设备以及家用电器中的功率控制模块。在需要高效率和稳定性的电源设计中，2SK1845都能发挥重要作用。

2SK2141, 2SK1336, 2SK1172