型号：2SK2219
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：4.2A
　　最大功耗（Pd）：1W
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极阈值电流：250nA（最大值）
　　输入电容（Ciss）：520pF（典型值，Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：180pF（典型值）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（典型值）
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：30ns
　　工作温度范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

2SK2219采用了高性能的硅基平面技术与双扩散金属氧化物半导体结构设计，使其在高频开关条件下表现出卓越的动态响应能力。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流通过时的最小功率损耗，从而提高了整个系统的能效表现。这使得它非常适合用于电池供电设备中的DC-DC升压或降压转换器，能够有效延长设备续航时间。
　　该器件的栅极结构经过优化，具有稳定的阈值电压特性和较小的栅极电荷（Qg），这意味着在驱动过程中所需的驱动能量较少，有利于简化驱动电路的设计并降低控制芯片的负载压力。同时，较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）显著减少了米勒效应的影响，在高速开关应用中可有效抑制不必要的振荡和误导通现象，提升了系统的稳定性与安全性。
　　2SK2219具备优良的热性能，得益于其高效的散热设计和封装材料的选择，即使在高负载条件下也能保持较低的工作温度。这种热稳定性对于长期运行的工业设备尤为重要，可以避免因过热导致的性能下降或器件损坏。
　　此外，该MOSFET对静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，增强了在实际装配和使用过程中的可靠性。尽管如此，仍建议在操作时采取适当的防静电措施以保护敏感的栅极绝缘层。整体而言，2SK2219以其高可靠性、小尺寸、高效能的特点成为现代电源管理设计中不可或缺的关键元件之一。

2SK2219广泛应用于多种电源管理和功率控制场景中。常见用途包括但不限于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的DC-DC转换器模块，用于实现电压升降压调节，满足不同功能单元的供电需求。
　　在开关电源（SMPS）设计中，2SK2219作为同步整流开关或主开关器件使用，能够在高频下实现快速切换，提升电源转换效率并减小变压器和滤波元件的体积，从而使电源更加轻薄高效。
　　此外，该器件也适用于LED驱动电路，特别是在背光驱动和照明电源中，凭借其低导通电阻和快速响应特性，能够精确控制电流输出，保障LED光源的稳定发光与长寿命。
　　在电机驱动领域，2SK2219可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关元件，提供可靠的通断控制能力。其快速开关特性有助于减少换相过程中的能量损失，提升驱动效率。
　　其他应用场景还包括逆变器、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）以及各类嵌入式控制系统中的功率开关环节。由于其具备良好的温度适应性和抗干扰能力，2SK2219也可用于汽车电子辅助系统、工业传感器供电模块等环境较为严苛的应用场合。

2SK3018, 2SK1762, BSS138, 2N7002, FDN335N