时间：2025/8/6 18:14:30
阅读：33
KK4027B是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，能够在高频率下稳定工作。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）：10A
漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤80mΩ（在VGS=10V时）
功耗（PD）：47W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
KK4027B具有较低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的开关速度快，适用于高频开关电路，可以有效减小电路中的开关损耗和发热问题。器件的封装采用TO-252（DPAK）形式，便于散热，并且与标准的PCB布局兼容，方便设计和生产。
这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持在多种应用场景下使用。同时，其良好的热稳定性和可靠性使其适用于严苛的工作环境。
KK4027B主要用于电源管理系统、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制器、LED照明驱动电路以及各种开关电路中。在消费类电子产品、工业自动化设备和汽车电子系统中都有广泛的应用场景。
IRFZ44N, STP10NK60Z, FDPF4N60
