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GRT0335C1ER16WA02D 发布时间 时间:2025/7/9 16:21:00 查看 阅读:14

GRT0335C1ER16WA02D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为 TO-252(DPAK),能够有效提升系统的效率和可靠性。
  这款器件广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域,适合需要高效能和小体积设计的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:7.1A
  导通电阻:16mΩ
  栅极电荷:8nC
  开关时间:t_on=14ns, t_off=19ns
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提高整体系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频操作以减小无源元件尺寸。
  3. 优秀的热稳定性,在高温环境下依然保持可靠的性能。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  5. 内置防静电保护功能,增强产品的鲁棒性。
  6. 封装紧凑,适合空间受限的设计需求。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 汽车电子中的负载切换
  5. 消费类电子产品中的电池管理
  6. 工业自动化设备中的信号调节电路

替代型号

IRFZ44N
  FDP5570
  AO3400

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GRT0335C1ER16WA02D参数

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  • 包装卷带(TR)
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