类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　最大功耗（PD）：125W
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.45Ω（@VGS=10V, ID=3.5A）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：350pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-263

BYG50J的核心优势在于其低导通电阻与高击穿电压之间的良好平衡，使其在500V应用中表现出卓越的效率。其RDS(on)低于0.45Ω，在中等电流下显著降低了导通损耗，特别适合用于高频率开关电源设计中，如AC-DC适配器、LED驱动电源和光伏逆变器等。该器件采用了优化的沟槽栅结构，提升了载流子迁移率，同时减少了栅极电荷（Qg），从而加快了开关速度并降低了驱动功耗。这不仅提高了系统的转换效率，还减小了对散热系统的要求。
　　另一个关键特性是其出色的热性能。BYG50J的封装设计具备较低的热阻（RθJC），允许热量从芯片快速传导至外部散热器，确保长时间高负载运行下的稳定性。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，意味着它可以在突发的电压浪涌或感性负载断开时吸收一定的能量而不损坏，这对于提高电源系统的可靠性至关重要。内置的体二极管也经过优化，具备较快的反向恢复特性，有助于减少在同步整流或桥式电路中的交叉导通风险。
　　在实际应用中，BYG50J展现出良好的抗噪能力和栅极驱动兼容性，可直接由常见的PWM控制器驱动，无需复杂的预驱电路。其±30V的栅源电压容限提供了额外的安全裕度，防止因驱动信号异常导致的器件损坏。综合来看，BYG50J是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的通用型高压MOSFET，适用于多种工业级和商业级电力电子设备。

BYG50J广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，包括但不限于离线式反激变换器、正激变换器、半桥和全桥拓扑结构的SMPS电源模块。由于其500V的耐压等级和7A的额定电流，非常适合用于200W以内的电源适配器、电视机和显示器的背光电源、LED照明驱动电源以及小型UPS不间断电源系统。在工业控制领域，该器件可用于PLC电源模块、继电器驱动电路和直流电机控制单元中，作为高效开关元件实现电能的精确调控。
　　此外，BYG50J也可用于光伏微逆变器中的DC-AC转换环节，作为H桥或推挽结构中的开关管，利用其低导通损耗和快速响应特性提升太阳能发电系统的整体效率。在消费类电子产品中，如游戏机电源、笔记本电脑充电器等，该MOSFET同样表现出良好的适应性。得益于其坚固的封装和稳定的电气特性，BYG50J还能胜任恶劣环境下的长期运行任务，例如高温车间或户外设备供电单元。对于需要高性价比且对可靠性有一定要求的应用场景，BYG50J是一个理想的选择。

STP7NK50ZFP
　　FQP50N50
　　KSE50N50