2SK1164 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用高密度单元设计,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适合用于开关电源、DC-DC转换器、马达控制等高功率应用场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):10A(连续)
最大功耗(Pd):60W
导通电阻(Rds(on)):0.38Ω(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220AB
2SK1164 具有多个优良的电气特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其导通电阻较低,有助于减少导通损耗,提高系统效率。其次,该器件的最大漏源电压为100V,适用于多种中高压应用场合。漏极电流额定值为10A,能够满足较高功率负载的需求。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作,适应各种严苛环境条件。其TO-220AB封装不仅便于安装散热片,也提高了器件在高功率应用中的可靠性。
2SK1164 还具有快速开关特性,适用于高频开关电路,减少开关损耗并提高响应速度。此外,其栅极驱动电压范围较宽,兼容常见的10V和12V驱动电路,便于与各种控制IC或驱动器配合使用。该器件的高可靠性、良好的热管理和低导通电阻使其成为工业电源、DC-DC转换器、电动工具、电池管理系统(BMS)和照明控制等应用的理想选择。
2SK1164 主要用于需要中高功率开关能力的电子设备中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、电池充电管理系统、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其具备较高的电压和电流承载能力,同时也被广泛应用于汽车电子系统,如车载电源管理模块和电机控制器等。此外,在消费类电子产品中,如电视电源、音响功放和UPS不间断电源中也有广泛应用。
2SK1163, 2SK2545, IRF540, FDPF5N50