2SK1164 时间：2025/9/7 17:15:50 阅读：30

2SK1164 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用高密度单元设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器、马达控制等高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：10A（连续）
　　最大功耗（Pd）：60W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

2SK1164 具有多个优良的电气特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的最大漏源电压为100V，适用于多种中高压应用场合。漏极电流额定值为10A，能够满足较高功率负载的需求。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适应各种严苛环境条件。其TO-220AB封装不仅便于安装散热片，也提高了器件在高功率应用中的可靠性。
　　2SK1164 还具有快速开关特性，适用于高频开关电路，减少开关损耗并提高响应速度。此外，其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于与各种控制IC或驱动器配合使用。该器件的高可靠性、良好的热管理和低导通电阻使其成为工业电源、DC-DC转换器、电动工具、电池管理系统（BMS）和照明控制等应用的理想选择。

应用

2SK1164 主要用于需要中高功率开关能力的电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、电池充电管理系统、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其具备较高的电压和电流承载能力，同时也被广泛应用于汽车电子系统，如车载电源管理模块和电机控制器等。此外，在消费类电子产品中，如电视电源、音响功放和UPS不间断电源中也有广泛应用。