类型：齐纳二极管
　　极性：单向
　　标称齐纳电压：6.8 V
　　齐纳电压容差：±5%
　　齐纳电压测试电流：5 mA
　　最大齐纳阻抗：35 Ω
　　最大功率耗散：200 mW
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：SOD-123FL
　　反向漏电流：≤ 1 μA @ VR = 4 V
　　峰值脉冲功率：500 W (10×1000 μs)
　　热阻（结到环境）：625 °C/W

KDZTR6.8B齐纳二极管的核心特性之一是其高电压精度与稳定性。该器件在制造过程中采用了精密的扩散技术，确保其标称齐纳电压为6.8V，并具有±5%的严格公差控制，这使得它在作为基准电压源使用时能够提供高度可预测的电气性能。无论是在常温还是极端温度条件下，其电压漂移均保持在较低水平，从而保证系统在整个工作温度范围内运行的一致性与可靠性。这种高精度特性使其特别适用于模拟前端电路、ADC/DAC参考电压生成、传感器信号调理模块等对电压稳定性要求极高的场合。
　　另一个显著特点是其优异的温度系数表现。KDZTR6.8B在其额定工作电流下展现出相对平坦的温度系数曲线，尤其是在接近7V左右的齐纳电压区域，器件主要依赖齐纳击穿机制，但同时也包含少量的雪崩击穿成分，这一混合效应有助于抵消正负温度系数的影响，从而实现更小的电压随温度变化的偏移量。这意味着即使在-55°C至+150°C的宽温域内，输出电压仍能保持高度稳定，避免因环境温度波动引起的测量误差或系统失调。
　　该器件还具备出色的动态阻抗特性，最大齐纳阻抗仅为35Ω，在5mA的测试电流下能够迅速响应输入电压的变化，提供稳定的钳位效果。低动态阻抗意味着当负载或输入发生突变时，输出电压波动更小，提升了系统的抗干扰能力。此外，其反向漏电流极低（≤1μA @ VR=4V），在低功耗待机模式或电池供电系统中可显著降低静态功耗，延长设备续航时间。
　　KDZTR6.8B采用SOD-123FL超小型表面贴装封装，尺寸紧凑（约2.0×1.25×1.0mm），非常适合高密度PCB布局，尤其适用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等追求轻薄化设计的产品。该封装还具备良好的散热性能和机械强度，支持自动贴片工艺，提高了生产效率和装配良率。

KDZTR6.8B齐纳二极管广泛应用于各类需要精准电压参考或过压保护的电子系统中。在电源管理领域，它常被用作线性稳压器或开关电源的反馈回路中的基准电压源，帮助维持输出电压的恒定。例如，在DC-DC转换器中，KDZTR6.8B可以与光耦配合构成隔离式反馈网络，实现主副边之间的电压监测与调节，提升整体电源的稳压精度与响应速度。
　　在信号调理电路中，该器件可用于限制运算放大器输入端的共模电压范围，防止因信号过冲导致芯片损坏。同时，也可作为模拟前端的钳位保护元件，吸收瞬时浪涌能量，保护敏感的ADC输入通道。在工业传感器接口设计中，KDZTR6.8B可为桥式传感器提供稳定的激励电压参考，减少因供电波动带来的测量偏差，提高系统测量精度。
　　在消费类电子产品中，如TWS耳机、智能手表、无线充电模块等，KDZTR6.8B因其小尺寸和低功耗特性，常用于内部电源轨的微调与稳压，保障核心处理器和射频模块的稳定运行。此外，在汽车电子系统中，如车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统和ADAS传感器供电单元中，该器件也发挥着重要作用，提供可靠的电压基准并增强系统抗电磁干扰能力。
　　由于其符合AEC-Q101标准，KDZTR6.8B还可用于发动机舱附近的电子控制单元（ECU），在高温、振动和湿度变化剧烈的环境下依然保持性能稳定。同时，其高达500W的峰值脉冲功率承受能力使其具备一定的ESD和瞬态电压抑制能力，可在雷击感应、电感反冲等瞬态事件中起到初级防护作用，延长下游元器件的使用寿命。

MMSZ5235BT1G
　　BZT52C6V8-E3-08
　　SZMZ5235D-TP
　　ZMM6V8
　　UDZS6.8B