RCH110NP-681K 时间：2025/9/9 16:49:19 阅读：4

RCH110NP-681K 是一款由 RCD（Rochester Components Division）制造的多层陶瓷电容器（MLCC）。这款电容器属于NP0（C0G）类型，具有优异的温度稳定性和低损耗特性，适用于要求高精度和高稳定性的电路应用，如射频（RF）电路、定时电路和滤波器。RCH110NP-681K 的标称电容值为 680pF，额定电压为 100V，并采用标准的 1106 封装尺寸（公制）。该电容器广泛用于工业、通信和消费类电子产品中。

参数

电容值：680pF
　　额定电压：100V
　　温度系数：NP0（C0G）
　　容差：±10%
　　封装尺寸：1106（公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷
　　绝缘电阻：≥10,000MΩ
　　损耗因子（DF）：≤2.5%
　　温度稳定性：±30ppm/°C

特性

RCH110NP-681K 电容器的核心特性之一是其卓越的温度稳定性。由于采用 NP0（C0G）介质材料，其电容值随温度变化极小，通常在 -55°C 至 +125°C 的工作温度范围内，电容变化不超过 ±30ppm/°C。这种特性使其成为高精度电路中的理想选择，例如在振荡器、滤波器和射频（RF）调谐电路中。
　　此外，RCH110NP-681K 的容差为 ±10%，这意味着实际电容值与标称值之间的偏差较小，有助于提升电路的精度和稳定性。其额定电压为 100V，确保在较高电压条件下仍能可靠运行，适用于多种电源和信号处理应用。
　　该电容器的封装尺寸为 1106（公制），符合标准的表面贴装技术（SMT）要求，便于自动化生产和 PCB 布局。其陶瓷介质具有优异的机械强度和耐热性，能够在恶劣环境中稳定工作。
　　另一个重要特性是其低损耗因子（DF ≤ 2.5%），这意味着在高频应用中，能量损耗较小，从而减少了电路中的发热问题。这种低损耗特性对于射频（RF）和微波电路尤为重要，因为这些应用对信号完整性要求极高。
　　最后，RCH110NP-681K 的高绝缘电阻（≥10,000MΩ）确保了在高阻抗电路中不会产生显著的漏电流，从而提高了电路的可靠性和安全性。

应用

RCH110NP-681K 主要用于需要高稳定性和低损耗的电子电路中。最常见的应用之一是在射频（RF）和微波电路中作为调谐电容或旁路电容。由于其 NP0（C0G）特性，它在振荡器电路中被广泛使用，以确保频率的稳定性不受温度变化的影响。
　　在通信设备中，如无线基站、路由器和射频识别（RFID）系统中，RCH110NP-681K 被用作滤波器和耦合电容，以提高信号质量和减少噪声干扰。此外，在高精度模拟电路中，例如运算放大器（Op-Amp）反馈电路和精密滤波器中，这款电容器能够有效保持电路性能的稳定性。
　　它也适用于工业控制系统的定时电路，如 PLC（可编程逻辑控制器）和传感器模块，以确保精确的时序控制。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和音频设备中，该电容器用于电源去耦和信号滤波，以提升整体系统性能。
　　由于其高电压额定值和良好的耐热性，RCH110NP-681K 还可用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、动力总成控制模块和传感器系统。