类型：齐纳二极管
　　齐纳电压：12V
　　最大耗散功率：200mW
　　封装类型：SOD-123
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大反向电流（IR）：100nA（@ VR=12V）
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：90Ω（@ Izt=20mA）

MMBZ5261BW 具有良好的电压稳定性和较低的动态阻抗，使其在电压调节电路中表现出色。由于其低泄漏电流（IR）特性，该器件在低功耗应用中表现优异。此外，MMBZ5261BW 采用无铅封装，符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。该器件具有较高的可靠性，能够在极端温度条件下稳定工作。SOD-123 封装形式使得其非常适合在空间受限的 PCB 设计中使用。
　　MMBZ5261BW 的齐纳电压公差为 ±5%，确保了在关键应用中电压的稳定性。其额定功率为 200mW，能够承受一定程度的瞬态过载。该器件的反向击穿特性具有良好的重复性和一致性，适用于需要参考电压的模拟电路和数字电路。此外，该齐纳二极管还具有快速响应时间，适用于需要快速稳压反馈的电源管理系统。

MMBZ5261BW 常用于电源管理电路中的电压参考和稳压控制，如开关电源（SMPS）、电池充电器、DC-DC 转换器和稳压器模块。该器件也适用于保护电路中的过压保护（OVP）功能，防止敏感电子元件因电压异常而损坏。此外，在测试设备、测量仪器和工业控制系统中，MMBZ5261BW 作为参考电压源使用，确保系统测量和控制的准确性。由于其小型封装，该器件也广泛应用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备等消费类电子产品中。
　　在模拟电路中，MMBZ5261BW 可用作基准电压源，为运算放大器、比较器等提供稳定的参考电压。在数字电路中，它可以用于电平转换或电压箝位，防止信号电压超出安全范围。同时，该器件也适用于 ESD 保护电路，提升系统的电磁兼容性（EMC）和可靠性。

MMBZ5261BWT1G, BZX84C12, MMSZ5261B