时间：2025/7/25 18:12:19
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IRFP064PBF 是由 Infineon Technologies 生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、电源开关和负载管理等场景。IRFP064PBF 采用 TO-220 封装，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和良好的热性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：55V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A
功耗（Pd）：170W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
存储温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
导通电阻（Rds(on)）：最大 0.018Ω
栅极电荷（Qg）：180nC
输入电容（Ciss）：2000pF
IRFP064PBF 具有以下显著特性：
首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。这在高电流应用中尤为重要，因为它有助于减少发热并提高能源利用率。
其次，该器件具有高电流承载能力，连续漏极电流可达 110A，适用于需要高功率输出的应用场景。同时，其高功率耗散能力（170W）使其能够在高负载条件下保持稳定运行。
IRFP064PBF 的 TO-220 封装形式不仅便于散热，而且广泛应用于工业标准电路板设计中，提高了安装和使用的便利性。此外，该器件的栅极驱动要求较低，可以在较宽的栅源电压范围内稳定工作。
在动态性能方面，IRFP064PBF 具有较快的开关速度，栅极电荷（Qg）为 180nC，输入电容（Ciss）为 2000pF，这使得其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗。
最后，IRFP064PBF 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，能够在极端环境条件下保持稳定运行，适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品等多种应用场景。
IRFP064PBF 广泛应用于多种电力电子系统中。在电源管理领域，该器件常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等电路中，以实现高效的能量转换。在电机驱动方面，IRFP064PBF 可用于 H 桥驱动电路，控制直流电机的正反转及速度调节。此外，它还适用于电池管理系统、逆变器、电源适配器和 UPS（不间断电源）系统等需要高可靠性和高效率的场合。
在汽车电子领域，IRFP064PBF 可用于车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）以及 LED 照明驱动电路等应用。其高可靠性和宽温度范围使其成为汽车环境中的理想选择。
在工业自动化和控制系统中，该器件可用于 PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器、变频器和工业机器人等设备中，提供高效、稳定的功率控制解决方案。
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"IRF1404",
"IRF1405",
"IRFP044N",
"IRFP064N"
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