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SPD18P06PGBTMA1 发布时间 时间:2025/6/10 16:22:11 查看 阅读:12

SPD18P06PGBTMA1 是一款高速功率场效应晶体管(MOSFET),属于 P 沟道类型,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用先进的制造工艺设计,具备低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性等特性,适合在高频和高效能要求的电路中使用。
  该型号中的具体参数表明其耐压值为 60V,持续漏极电流能力达到 18A,适用于需要较高电流承载能力的应用场景。此外,它还具有出色的热性能和电气性能,便于集成到复杂电子系统中。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:18A
  栅极-源极电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,在 Vgs=-10V 时)
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-220

特性

SPD18P06PGBTMA1 的主要特点是其具备较低的导通电阻,能够有效减少功率损耗并提高效率。同时,它具有较高的雪崩击穿能量承受能力,确保在异常条件下仍能保持稳定运行。
  该器件支持快速开关操作,可显著降低开关损耗,并且具备内置保护功能以防止过流或过温损坏。
  此外,由于采用了 TO-220 封装,因此具备良好的散热性能,非常适合大功率应用环境。

应用

SPD18P06PGBTMA1 常用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器
  2. 直流-直流转换器
  3. 电机控制与驱动
  4. 负载开关及电池管理
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块
  6. 汽车电子中的各类电源管理单元

替代型号

IRF9Z34N
  STP18PF06
  FDP18N06P

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SPD18P06PGBTMA1参数

  • 现有数量15,453现货
  • 价格1 : ¥11.61000剪切带(CT)2,500 : ¥4.93282卷带(TR)
  • 系列SIPMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18.6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)130 毫欧 @ 13.2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)33 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)860 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)80W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63