SPD18P06PGBTMA1 是一款高速功率场效应晶体管(MOSFET),属于 P 沟道类型,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用先进的制造工艺设计,具备低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性等特性,适合在高频和高效能要求的电路中使用。
该型号中的具体参数表明其耐压值为 60V,持续漏极电流能力达到 18A,适用于需要较高电流承载能力的应用场景。此外,它还具有出色的热性能和电气性能,便于集成到复杂电子系统中。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:18A
栅极-源极电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,在 Vgs=-10V 时)
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-220
SPD18P06PGBTMA1 的主要特点是其具备较低的导通电阻,能够有效减少功率损耗并提高效率。同时,它具有较高的雪崩击穿能量承受能力,确保在异常条件下仍能保持稳定运行。
该器件支持快速开关操作,可显著降低开关损耗,并且具备内置保护功能以防止过流或过温损坏。
此外,由于采用了 TO-220 封装,因此具备良好的散热性能,非常适合大功率应用环境。
SPD18P06PGBTMA1 常用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器
2. 直流-直流转换器
3. 电机控制与驱动
4. 负载开关及电池管理
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
6. 汽车电子中的各类电源管理单元
IRF9Z34N
STP18PF06
FDP18N06P