HY62WT08081EDG-55C 时间：2025/9/2 3:41:05 阅读：6

HY62WT08081EDG-55C 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片属于异步SRAM类别，具备高速访问时间和低功耗的特点，适用于需要快速数据存取的工业控制、通信设备和嵌入式系统等应用场景。

参数

容量：8Mbit（1M x 8）
　　组织结构：1M地址 x 8位数据
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：5.5ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数量：54
　　最大读取电流：120mA（典型值）
　　待机电流：10mA（最大）
　　数据保持电流：10mA（最大）

特性

HY62WT08081EDG-55C 具备出色的性能和稳定性。该芯片的高速访问时间达到5.5ns，使得其在高速缓存或实时数据处理系统中表现出色。其3.3V的工作电压降低了功耗，同时保证了与多种现代控制器和逻辑电路的兼容性。此外，该器件的工作温度范围宽达-40°C至+85°C，适用于各种工业环境下的稳定运行。
　　在封装方面，HY62WT08081EDG-55C采用TSOP封装，具有良好的散热性能和较小的PCB占用空间，非常适合用于空间受限的应用场景。该芯片还支持多种操作模式，包括读取、写入和待机模式，能够根据系统需求灵活调整功耗水平。
　　该SRAM芯片还具备较高的抗干扰能力，并采用了先进的CMOS制造工艺，以确保数据的可靠性和稳定性。其数据保持电流仅为10mA，使得在低功耗应用中也能实现高效能的数据保持功能。

应用

HY62WT08081EDG-55C广泛应用于各种需要高速数据存储的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制设备中的缓存存储器、网络设备和通信模块的临时数据存储单元、测试设备中的高速数据采集系统以及各种便携式电子设备中的主存储器。此外，该芯片还可用于音频和视频处理设备中的实时数据缓冲，以及汽车电子系统中的控制模块存储器等场景。