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FDI47AN08A0 发布时间 时间:2025/8/24 15:23:30 查看 阅读:9

FDI47AN08A0 是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的功率MOSFET模块,专为高效率和高可靠性应用设计。该模块基于富士电机的先进硅技术,提供高性能和紧凑的设计,适用于各种工业和汽车电子系统。

参数

类型:功率MOSFET模块
  最大漏源电压(VDS):800V
  最大漏极电流(ID):47A
  导通电阻(RDS(on)):典型值为18mΩ
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:双列直插式(Dual Inline Package)
  额定功耗:100W

特性

FDI47AN08A0 具有多个显著特性,使其适用于高性能功率转换应用。其主要特性包括:高耐压能力、低导通电阻、高可靠性以及出色的热管理性能。
  首先,该模块的漏源电压额定值为800V,能够在高电压条件下稳定运行,适用于各种高功率系统,如太阳能逆变器和工业电机驱动器。其次,低导通电阻(RDS(on))为18mΩ,有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。
  此外,FDI47AN08A0 采用了先进的封装技术,确保模块在高温环境下仍能保持稳定性能。其工作温度范围为-55°C至150°C,适应了各种严苛的工作条件。同时,模块的双列直插式封装设计简化了PCB布局,并提高了安装的便捷性。
  最后,该模块通过了严格的可靠性测试,确保其在长期运行中具备出色的稳定性和耐用性。这些特性使其成为工业电源、电动汽车充电系统和高功率开关电源等应用的理想选择。

应用

FDI47AN08A0 模块广泛应用于多个领域,包括但不限于工业电机驱动器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动车充电设备以及高功率DC-DC转换器。其高电压和高电流能力使其适用于需要高效能功率管理的系统,而其紧凑的封装设计则有助于简化电路布局并提高系统可靠性。

替代型号

FDI47AN08A0-F, FDI47AN08A0-B, FDMS86263, FDMS86180

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