类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP

MB64H143M-G的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。该特性使其非常适合用于高频率开关应用，如DC-DC转换器和电源管理系统。此外，MB64H143M-G具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能，延长设备的使用寿命。
　　该MOSFET的另一个显著特点是其高耐压能力，漏极-源极电压可达30V，适用于多种中等功率应用。栅极-源极电压为±20V，确保了在各种工作条件下器件的可靠性。MB64H143M-G的连续漏极电流为4A，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适应性强。
　　该器件采用SOP封装形式，具有良好的散热性能，确保在高功率应用中不会因过热而损坏。SOP封装也便于在PCB（印刷电路板）上安装和布局，适用于自动化生产和批量制造。MB64H143M-G的封装尺寸紧凑，适合空间受限的设计。

MB64H143M-G广泛应用于多个领域，如电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制、LED驱动器和负载开关等。在电源管理应用中，该MOSFET可用于高效能的电源转换和调节，提高系统的整体能效。在DC-DC转换器中，MB64H143M-G的低导通电阻和高开关速度有助于实现高效的电压转换。
　　在电机控制应用中，MB64H143M-G可以用于驱动小型电机，提供稳定的电流控制和可靠的开关性能。此外，该MOSFET还可用于LED驱动器，确保LED的稳定亮度和长寿命。作为负载开关，MB64H143M-G能够快速接通和断开负载，保护电路免受过载和短路的影响。

MB64H143M-G的替代型号包括Si2302DS和AO3400A等。这些型号在电气特性和封装形式上与MB64H143M-G相似，可以作为备选方案使用。