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GA0805A181KBEBT31G 发布时间 时间:2025/7/14 13:48:01 查看 阅读:13

GA0805A181KBEBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET,采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。该器件适用于高效率、高频开关电源以及电机驱动等应用领域。
  该型号属于 GaN(氮化镓)基功率器件系列,利用氮化镓材料的优异特性,在高频工作条件下表现出极低的损耗和更高的效率。其封装形式通常为紧凑型表面贴装,适合现代电子设备的小型化需求。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:45nC
  反向恢复时间:10ns
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

GA0805A181KBEBT31G 的主要特点是低导通电阻与高速开关性能相结合,使其非常适合要求高效能和快速响应的应用场景。
  1. 使用氮化镓技术,显著降低了导通电阻,从而减少了功率损耗。
  2. 高频操作能力,支持高达数 MHz 的开关频率,特别适合高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  3. 小尺寸封装,有助于减少整体解决方案的空间占用。
  4. 极低的反向恢复时间,可有效降低开关过程中的能量损失。
  5. 提供了宽泛的工作温度范围,确保在各种环境下的可靠运行。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于需要高效率和高频操作的场景中,例如:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器和充电器。
  2. 工业电机驱动系统。
  3. LED 照明驱动电路。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换设备。
  5. 数据中心电源管理模块。
  6. 汽车电子中的 DC-DC 转换器及辅助供电单元。

替代型号

GA0805A181KBEBT32G, GA0805A181KBEBT33G

GA0805A181KBEBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容180 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-