时间：2025/9/6 21:36:11
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2SK1070PID 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的N沟道功率MOSFET器件，广泛应用于高功率开关电路、音频放大器、电源管理以及DC-DC转换器等电子设备中。该器件采用了先进的平面硅栅技术，具有低导通电阻和高耐压特性，能够在高频率下稳定工作。该MOSFET封装为TO-220AB，便于散热，适合在大功率环境中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：8A
最大漏源电压（VDS）：250V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：约0.44Ω（典型值）
功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
2SK1070PID具备多项优良的电气特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）使得在导通状态下功耗显著降低，提高了整体系统的效率。其次，该MOSFET具有较高的耐压能力，漏源电压可达250V，适用于多种高压应用场合。此外，其高栅源电压容限（±30V）增强了器件在高电压开关环境下的稳定性与可靠性。
在封装方面，TO-220AB结构不仅提供了良好的散热性能，还便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接。该器件还具备较快的开关速度，适合用于高频开关电源和音频放大器设计。2SK1070PID的平面硅栅工艺确保了良好的热稳定性和较长的使用寿命，同时在高温环境下仍能保持稳定性能。
2SK1070PID广泛应用于多种电子系统和模块中。它常被用于开关电源（SMPS）设计中，作为主开关元件，实现高效的能量转换。在音频功率放大器中，该MOSFET用于输出级，提供清晰、低失真的音频信号。此外，它还适用于DC-DC转换器、电机驱动电路、负载开关控制以及各种需要高电压和中等功率处理能力的工业控制设备。由于其高可靠性和良好的热性能，2SK1070PID也广泛用于消费类电子、汽车电子和工业自动化设备中。
2SK1070, 2SK1070P, 2SK1070O, IRF840, 2SK2140
