MSA0436TR1G是一款由ONSEMI(安森美半导体)制造的射频(RF)功率放大器芯片,广泛应用于无线通信系统中,特别是在需要高线性度和高功率输出的场合。该器件采用高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,具有高增益、高效率和出色的热稳定性。MSA0436TR1G特别适用于Wi-Fi 6E、5G通信、无线基础设施以及工业、科学和医疗(ISM)频段的高频应用。
工作频率:2.4 GHz - 6 GHz
输出功率:36 dBm(典型值)
增益:30 dB(典型值)
电源电压:28 V
静态电流:800 mA(典型值)
封装类型:TSSOP-16
输入/输出阻抗:50Ω
工作温度范围:-40°C至+85°C
MSA0436TR1G采用先进的GaAs(砷化镓)HEMT工艺制造,具备出色的高频性能和高可靠性。其高增益设计使其能够在低输入功率下实现高输出功率,适用于多种宽带无线通信应用。该芯片还具备良好的热管理和高耐久性,能够在高功率密度下长时间运行而不会出现性能下降。
此外,MSA0436TR1G具有良好的线性度,这使其特别适合用于现代通信标准如Wi-Fi 6E和5G NR中,这些标准对信号的线性度要求极高。该器件的输入和输出端口均内置匹配网络,简化了电路设计并减少了外部元件数量,从而降低了设计复杂性和成本。
该放大器的封装采用紧凑的TSSOP-16封装形式,适用于表面贴装工艺,便于集成到高密度PCB布局中。其宽工作温度范围确保了在各种环境条件下都能稳定运行,包括高温和低温场景。
MSA0436TR1G主要应用于无线基站、Wi-Fi 6E接入点、5G小基站、毫米波通信设备、工业物联网(IIoT)设备以及测试和测量仪器等高频功率放大场景。该器件还可用于军事通信、雷达系统和广播传输设备等需要高可靠性和高效率的场合。
MRF6S27045SNR1G、RFPA2843、HMC8215、AMC-2C+