时间：2025/8/5 17:57:58
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IXTK73N30Q是一款N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司制造，适用于高功率和高频开关应用。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高电流处理能力，非常适合用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和逆变器等场合。IXTK73N30Q在设计上优化了开关性能和热管理，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：300V
最大漏极电流(Id)：73A（25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.045Ω
栅极电压(Vgs)：±20V
最大功耗(Pd)：250W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220AB
IXTK73N30Q的主要特性包括其极低的导通电阻，使得在高电流下功率损耗最小化，提高了整体效率。此外，该MOSFET具有快速开关能力，能够减少开关损耗并提高系统的响应速度。其坚固的封装设计提供了良好的热性能和机械稳定性，适用于各种恶劣的工作环境。该器件还具有较高的雪崩能量耐受能力，可在过载或短路情况下提供额外的保护。此外，IXTK73N30Q的封装设计考虑到了安装的便利性，能够轻松集成到现有的电路设计中。
IXTK73N30Q广泛应用于电源供应器、不间断电源(UPS)、电动工具、工业电机驱动、光伏逆变器以及电动汽车充电系统等领域。由于其高电流能力和出色的热管理性能，它也非常适合用于需要高可靠性和高性能的工业控制系统。此外，该MOSFET还可以用于高频开关电源和功率因数校正(PFC)电路中。
IXFK73N30Q, IXTK75N30Q, IXTP75N30Q
