制造商：Analog Devices
　　系列：HMC
　　零件状态：活跃
　　类型：双平衡混频器
　　频率范围：RF 18GHz ~ 40GHz, LO 17GHz ~ 20GHz, IF DC ~ 2GHz
　　隔离度：典型值30dB（LO-RF）
　　转换损耗：典型值8.5dB
　　输入P1dB：典型值+15dBm
　　IIP3：典型值+27dBm
　　封装：6-SMT（SC-70）
　　工作温度：-40°C ~ +85°C

HMC652的核心优势在于其卓越的高频性能和优异的线性指标，这得益于其基于GaAs肖特基二极管的双平衡桥式结构。该结构不仅提供了良好的端口间隔离，还显著抑制了偶数阶谐波失真，提升了系统的抗干扰能力。在实际应用中，HMC652能够在高达40GHz的射频频率下保持稳定的转换损耗和低噪声表现，确保信号链路的完整性。其高输入三阶交调截点（IIP3）达到+27dBm，意味着即使在强信号环境下也能有效避免非线性失真，这对于多载波或宽带通信系统尤为重要。同时，输入P1dB压缩点高达+15dBm，表明该混频器能够处理较高的输入功率而不发生明显增益压缩，适合用于高动态范围接收机前端。HMC652的LO驱动电平要求仅为+13dBm，兼容大多数商用LO源，无需额外放大即可直接驱动，进一步简化了系统设计。其IF带宽从DC开始，支持零中频（Zero-IF）和低中频架构，适用于现代软件定义无线电（SDR）和相干通信系统。
　　另一个关键特性是其出色的端口隔离性能，LO到RF的隔离度典型值为30dB，有助于减少本振泄漏对射频前端的影响，提高接收灵敏度。此外，所有端口均内置宽带阻抗匹配网络，使得用户无需进行复杂的外部调谐即可实现良好的驻波比（VSWR），通常各端口回波损耗优于10dB。这种集成化设计不仅节省了电路板空间，也降低了因外部元件不一致性带来的性能波动。HMC652采用SC-70小型表面贴装封装，尺寸仅为2mm x 1.25mm，非常适合毫米波模块中的高密度集成。该器件符合RoHS标准，并经过严格的环境测试，可在-40°C至+85°C工业级温度范围内稳定工作，适用于户外无线基础设施和航空航天等严苛应用场景。

HMC652广泛应用于高频通信系统中，特别是在E波段（60GHz/70GHz回程）、V波段（40GHz以上）和W波段（75-110GHz通过外接倍频器扩展）的点对点和点对多点无线回传系统中作为上变频或下变频核心组件。它常被用于基站之间的高速数据链路构建，在5G前传和中传网络中发挥重要作用。在卫星通信领域，HMC652可用于地面站收发模块，实现Ka波段及以上频段的信号转换，支持高清视频流和大数据量传输。雷达系统尤其是相控阵雷达和汽车毫米波雷达的研发平台中，该混频器因其宽频带和高线性度而被用作测试原型中的关键元件。此外，HMC652也常见于高性能自动测试设备（ATE）和频谱分析仪、信号发生器等仪器仪表中，作为宽带下变频前端以实现精确的频率测量与信号捕获。在科研和教育领域，该器件被用于太赫兹技术探索、超高速通信实验平台搭建以及微波集成电路（MMIC）教学演示，帮助研究人员验证新型调制方案和波束成形算法。由于其DC耦合IF输出特性，HMC652特别适合用于IQ解调架构和复数滤波器系统，支持先进的数字预失真（DPD）和自适应均衡技术。

HMC652LC5TR