时间：2025/8/17 16:56:17
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GT93C76-3GLA3-TR 是由GSI Technology公司生产的一种高性能、低功耗的3.3V CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有高速访问时间和较低的功耗特性，适用于多种嵌入式系统和工业控制应用。GT93C76系列SRAM芯片采用标准的异步接口，具备广泛的工业温度范围，确保在各种环境下都能稳定运行。
类型：异步SRAM
容量：8K x 8 / 4K x 16
电压范围：3.0V 至 3.6V
访问时间（tRC）：55ns / 70ns / 85ns（根据不同版本）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数量：28
数据宽度：8位或16位（根据配置）
封装尺寸：5.4mm x 8.0mm
封装代码：LA3
封装材料：塑料
JEDEC标准：符合TSOP-II标准
封装湿度敏感等级：MSL 3
GT93C76-3GLA3-TR 是一款高性能、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM），适用于工业、通信、网络设备以及消费类电子产品。其主要特性包括高速访问时间、宽工作温度范围和低功耗设计。该芯片的访问时间可提供55ns、70ns和85ns等多种选项，满足不同应用对速度的需求。其3.3V供电电压设计兼容主流数字系统电源，减少了系统设计的复杂性。GT93C76-3GLA3-TR 采用CMOS技术，确保了低静态电流和动态功耗，使其在电池供电设备中也能表现出色。此外，该器件支持异步操作，能够与多种微控制器和处理器无缝连接，增强了其在不同系统架构中的适应性。芯片内部的双端口设计允许独立的读写操作，提高了数据吞吐量和系统响应速度。GT93C76-3GLA3-TR 还具备自动数据保持功能，在待机模式下功耗极低，有助于延长设备续航时间。该芯片采用28引脚TSOP封装，体积小巧，便于PCB布局，并符合RoHS环保标准，适合高密度电路设计。其广泛的工作温度范围使其能够在严苛的工业环境中可靠运行。
GT93C76-3GLA3-TR 适用于多种需要高速缓存和临时数据存储的应用场景，包括但不限于工业控制系统、网络交换设备、路由器、通信模块、测试仪器、消费类电子产品（如数字电视和机顶盒）、医疗设备以及汽车电子系统。该芯片的高速性能和低功耗特性使其在数据缓冲、帧缓存、指令存储和实时数据处理等任务中表现出色。
ISSI IS61LV25616-8TLI、Microchip 23K256-I/P、ON Semiconductor CAT25M01-30TE13
