时间：2025/8/9 14:08:28
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2SJ473-01S是一款由东芝（Toshiba）制造的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关应用。该器件采用小型表面贴装封装，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各种便携式电子设备中的高效能电路设计。其主要优势在于低导通电阻、高可靠性以及良好的热稳定性，能够在有限的空间内提供稳定的性能。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：-30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-1.3A
导通电阻（Rds(on)）：最大2.3Ω（在Vgs=-10V时）
功率耗散（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SC-89（SOT-490）
引脚数：3
极性：P沟道
2SJ473-01S采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，适合用于高效率的功率转换电路。其P沟道结构允许在高端开关配置中使用，简化了电路设计并减少了外部元件需求。该器件的封装设计优化了热管理和空间利用率，适合在高密度PCB布局中使用。
此外，该MOSFET具备良好的温度稳定性，在高温环境下仍能保持较低的导通损耗，提高了系统的可靠性和寿命。其栅极氧化层设计可承受高达±20V的电压，增强了抗静电能力和抗干扰性能。
2SJ473-01S还具有较低的输入电容和反馈电容，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体系统效率。这一特性使其非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电池供电设备中的负载管理。
2SJ473-01S广泛应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理模块。它也适用于DC-DC转换器、LED驱动电路、电池保护电路以及各类低功率开关应用。此外，该MOSFET还可用于汽车电子系统中的电源控制，如车载充电器、车身控制模块和传感器接口电路。
2SJ473, 2SJ473-01, 2SJ472, 2SJ475, 2SJ476
