时间：2025/7/14 17:38:53
阅读：7
MA0201CG3R3D250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频、高效能功率转换应用设计。该器件采用先进的封装技术，具有低寄生电感和高散热性能，适用于开关电源、DC-DC转换器以及射频放大器等场景。
这款 GaN HEMT 的核心特点是其出色的开关速度和较低的导通电阻，从而实现更高的效率和更小的系统尺寸。此外，它还支持高频操作，可显著减少磁性元件的体积和重量，非常适合现代紧凑型电力电子设备的需求。
型号：MA0201CG3R3D250
类型：增强型 GaN HEMT
额定电压：650 V
额定电流：25 A
导通电阻：3.3 mΩ（典型值）
栅极电荷：75 nC（最大值）
反向恢复电荷：无（由于是 GaN 器件）
工作温度范围：-55 ℃ 至 +150 ℃
封装形式：TO-247-4L
1. 极低的导通电阻，有助于提高整体效率并降低功耗。
2. 支持高达数 MHz 的开关频率，能够显著减小外部无源元件的尺寸和成本。
3. 内置 ESD 保护功能，增强了器件在实际应用中的鲁棒性。
4. 高温稳定性，可在较宽的工作温度范围内保持一致的性能。
5. 与传统硅 MOSFET 相比，具备更快的开关速度和更低的开关损耗。
6. 兼容标准驱动电路，便于与现有设计无缝集成。
MA0201CG3R3D250 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. DC-DC 转换器，包括电动汽车充电系统和工业电源。
3. 射频功率放大器，用于通信基站和其他高频设备。
4. 电机驱动控制器，特别是对效率和动态响应有较高要求的应用。
5. 太阳能逆变器和其他能源管理设备。
6. 快速充电适配器和消费类电子产品中的高效电源解决方案。
MPH25065B, GAN063-650WSA
