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IPD50N06S4L12ATMA2 发布时间 时间:2025/4/30 10:01:46 查看 阅读:3

IPD50N06S4L12ATMA2 是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用TOLL封装,具有低导通电阻和高效率的特点,适合用于各种开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用中。它属于OptiMOS系列,专为工业和汽车领域设计,提供卓越的性能和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷(典型值):75nC
  开关频率:高达1MHz
  结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TOLL

特性

IPD50N06S4L12ATMA2 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高度优化的栅极电荷,支持快速开关操作。
  3. 提供出色的热性能,确保在高功率应用中的稳定性。
  4. 符合汽车级标准(AEC-Q101),适用于严苛的工作环境。
  5. 内置ESD保护功能,增强抗干扰能力。
  6. 小型化TOLL封装设计,便于PCB布局与散热管理。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 电动工具、机器人及工业自动化设备中的电机驱动。
  4. 新能源汽车中的逆变器和车载充电器。
  5. 各种需要高效能功率开关的应用场景。

替代型号

IPW50R1K8CEBA02ATMA1, IPB50N06S4L12ATMA1

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IPD50N06S4L12ATMA2参数

  • 现有数量1,950现货
  • 价格1 : ¥9.06000剪切带(CT)2,500 : ¥4.01566卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 20μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)40 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2890 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)50W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3-11
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63