IPD50N06S4L12ATMA2 是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用TOLL封装,具有低导通电阻和高效率的特点,适合用于各种开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用中。它属于OptiMOS系列,专为工业和汽车领域设计,提供卓越的性能和可靠性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:50A
导通电阻(典型值):1.2mΩ
栅极电荷(典型值):75nC
开关频率:高达1MHz
结温范围:-55℃至175℃
封装形式:TOLL
IPD50N06S4L12ATMA2 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高度优化的栅极电荷,支持快速开关操作。
3. 提供出色的热性能,确保在高功率应用中的稳定性。
4. 符合汽车级标准(AEC-Q101),适用于严苛的工作环境。
5. 内置ESD保护功能,增强抗干扰能力。
6. 小型化TOLL封装设计,便于PCB布局与散热管理。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电动工具、机器人及工业自动化设备中的电机驱动。
4. 新能源汽车中的逆变器和车载充电器。
5. 各种需要高效能功率开关的应用场景。
IPW50R1K8CEBA02ATMA1, IPB50N06S4L12ATMA1