时间：2025/9/7 13:23:37
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2SJ219是一种P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于高边开关、电源管理及负载开关等应用。这款晶体管以其高效的开关特性和较低的导通电阻而受到青睐，适用于多种中低功率电子设备的设计中。作为一款分立式半导体器件，2SJ219通常采用TO-92或类似的小型封装形式，便于在电路板上安装和使用。
类型：P沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：-30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-50mA
功耗（Pd）：300mW
导通电阻（Rds(on)）：约100Ω（在Vgs = -10V时）
工作温度范围：-55°C至150°C
2SJ219具有较低的导通电阻，在适当的栅极电压下能够提供较高的电流传输效率，从而减少功率损耗。此外，它具备良好的热稳定性和过热保护能力，能够在高温环境下稳定工作。该器件的栅极绝缘层提供了较高的输入阻抗，使其对驱动电路的要求较低，同时具备较快的开关速度，适用于高频开关应用。2SJ219还具备较高的耐用性和可靠性，适用于工业控制、电源管理和消费类电子产品中的开关控制。
2SJ219广泛应用于各种电子设备中，包括电源管理系统、电池供电设备、LED驱动电路、继电器驱动电路、马达控制电路以及各类低功耗开关电路。由于其良好的开关特性和较高的可靠性，2SJ219也常用于数字逻辑电路和模拟电路中的信号控制。
2SJ355, 2SJ103
