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2SD1980TL 发布时间 时间:2025/12/25 11:12:48 查看 阅读:15

2SD1980TL是一款由TOSHIBA(东芝)公司生产的NPN型硅晶体管,主要用于音频放大和功率放大电路中。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有较高的电流增益、良好的频率响应以及较强的负载驱动能力,因此在音响设备、家用电器和工业控制等领域得到广泛应用。2SD1980TL通常作为推动级或输出级晶体管使用,尤其适用于高保真(Hi-Fi)音频功率放大器中的末级输出对管之一。其封装形式为TO-264(或类似的大功率塑封),具备优良的散热性能,能够承受较高的集电极电流和功耗。该晶体管设计用于线性工作区,支持AB类或B类放大器配置,在低失真、高效率方面表现出色。此外,2SD1980TL在温度稳定性与噪声抑制方面也有良好表现,适合长时间连续工作的应用场景。由于其电气特性与互补型号(如2SB1537TL)相匹配,常被成对使用以构成推挽输出结构,从而实现更高的输出功率和更低的谐波失真。该器件符合RoHS环保标准,适用于无铅回流焊工艺,满足现代电子制造的环保要求。

参数

类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):140V
  最大集电极-基极电压(VCBO):140V
  最大发射极-基极电压(VEBO):5V
  最大集电极电流(IC):10A
  最大总功耗(PC):150W
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  直流电流增益(hFE):40 - 200 @ IC = 3A, VCE = 4V
  过渡频率(fT):>4MHz
  饱和电压(VCE(sat)):<1.5V @ IC = 8A, IB = 800mA
  热阻(Rth(j-c)):约1.17°C/W

特性

2SD1980TL具备出色的功率处理能力和稳定的电气性能,是高性能音频功率放大器中的关键元件之一。其高击穿电压(140V)确保了在高压电源系统下的安全运行,适用于±60V甚至更高的双电源供电环境,有效防止因瞬态电压过高而导致的器件损坏。
  该晶体管的最大集电极电流可达10A,能够在大信号输出时提供充足的电流驱动能力,从而保证音响系统的动态响应和瞬态表现。其最大功耗高达150W,配合适当的散热器可长时间稳定工作于高温环境中,提升了系统的可靠性与耐用性。
  2SD1980TL的直流电流增益(hFE)在典型工作条件下(IC=3A, VCE=4V)保持在40至200之间,具有较宽的增益分布,有助于减少电路调试难度,并提高整机的一致性。同时,该器件的高频特性良好,过渡频率fT超过4MHz,使其不仅适用于音频频段内的信号放大,也能应对快速变化的瞬态信号,降低相位失真。
  在饱和状态下,其集电极-发射极饱和电压较低(<1.5V),这意味着在导通时的功率损耗较小,提高了整体能效并减少了发热。此外,其热阻约为1.17°C/W,表明从结到壳体的热量传导效率较高,有利于热量迅速传递至外部散热装置。
  该器件采用TO-264封装,引脚排列标准化,便于安装与替换,并支持绝缘安装方式,增强了系统安全性。其材料符合环保标准,不含铅等有害物质,适应现代绿色电子产品的发展趋势。综合来看,2SD1980TL是一款兼具高性能、高可靠性和良好兼容性的功率晶体管,广泛应用于高品质音响系统中。

应用

2SD1980TL主要应用于高保真音频功率放大器中,作为输出级或驱动级的核心器件。它常见于家用立体声音响系统、专业音响设备、有源音箱以及AV接收机等产品中,负责将前置放大信号进行功率放大后驱动扬声器发声。由于其具备高电压耐受能力和大电流输出特性,特别适合用于构建AB类或B类推挽输出电路,能够提供数十瓦至上百瓦的音频输出功率,满足对音质和响度的高要求。
  在工业领域,该晶体管也可用于各类需要大功率开关或线性放大的控制系统中,例如伺服驱动器、直流电机控制器或感应加热设备中的激励电路。此外,由于其良好的温度稳定性和长期工作可靠性,也适用于一些恶劣环境下的电力电子装置。
  在维修市场中,2SD1980TL常被用作老旧功放机或高端音响设备的替换元件,尤其是一些原厂使用东芝晶体管的品牌设备。工程师在升级或修复音响系统时,会优先选择该型号或其兼容型号来恢复原有性能。与此同时,DIY音响爱好者也广泛采用此管制作分立元件功放模块,因其参数稳定、易于配对而受到青睐。
  由于其互补型号2SB1537TL的存在,2SD1980TL可以与其组成完整的NPN-PNP输出对管组合,实现对称的正负半周信号放大,显著降低偶次谐波失真,提升音质纯净度。这种搭配广泛应用于OCL(无输出电容)和OTL(无输出变压器)放大电路中,进一步扩展了其应用范围。

替代型号

2SC5200, MJE15030, BUH515D, KSC3265

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2SD1980TL参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 1mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)1000 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大10W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装CPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SD1980TL-ND2SD1980TLTR