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GM71VS65803ALT-6 发布时间 时间:2025/9/1 16:14:27 查看 阅读:8

GM71VS65803ALT-6 是由GSI Technology公司生产的一款高性能异步SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该SRAM具有高速读写能力和低功耗设计,适用于需要快速数据访问和稳定存储的场合。这款芯片采用标准的TSOP封装,便于在多种电子系统中集成。GM71VS65803ALT-6的存储容量为64K x 8位,访问时间为5.4ns,适合用于通信设备、工业控制、网络设备和高性能计算系统等领域。

参数

容量:64K x 8位
  访问时间:5.4ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  输入/输出电压兼容性:LVTTL/CMOS
  最大工作频率:166MHz
  数据保持电压:2V
  待机电流:最大10mA
  读取电流:最大120mA

特性

GM71VS65803ALT-6 SRAM芯片具备多项优异特性,使其在高性能应用中表现出色。首先,其高速访问时间为5.4ns,能够满足高速数据处理的需求,适用于实时系统和高频操作。该芯片采用低功耗CMOS工艺制造,即使在高速运行时也能保持较低的功耗水平,非常适合对能效有要求的应用场景。
  此外,该SRAM支持异步操作,无需时钟同步即可进行数据读写,提高了系统的灵活性和响应速度。其LVTTL/CMOS电平兼容设计使其能够与多种数字电路无缝连接,简化了系统设计。
  GM71VS65803ALT-6还具备数据保持功能,在VDD下降至2V时仍能维持数据完整性,适用于需要断电保护的系统。其TSOP封装形式不仅节省空间,还具有良好的散热性能,增强了系统的稳定性。该芯片的工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适用于各种恶劣环境。

应用

该芯片广泛应用于通信设备(如路由器、交换机)、工业控制系统、网络设备、数据采集系统、嵌入式系统以及测试与测量设备等需要高速缓存和临时数据存储的场景。其高速度和低功耗特性也使其适用于便携式仪器和高可靠性系统。

替代型号

CY7C199-10VC
  AS7C36408-10TIN
  IS61LV6416-10B4

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