SKET801/18E 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率晶体管,属于双极型晶体管(BJT)类别。该器件专为高功率应用设计,能够承受较大的电流和电压,适用于电源管理、工业电机控制以及各种需要高功率处理能力的电子系统。作为一款NPN型晶体管,SKET801/18E具有较高的电流放大系数和良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
晶体管类型:NPN
最大集电极-发射极电压(Vce):100V
最大集电极电流(Ic):80A
最大功率耗散(Ptot):180W
电流增益(hFE):在Ic=4A时典型值为25000
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-247
过渡频率(fT):5MHz
集电极-基极击穿电压(Vcb):100V
发射极-基极击穿电压(Veb):5V
SKET801/18E 功率晶体管具有多项优异的电气和物理特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,该晶体管的集电极-发射极电压(Vce)最大可达100V,适用于中高电压系统的应用。其次,其最大集电极电流(Ic)为80A,能够支持大电流负载的驱动,例如直流电机、继电器和大功率LED模块等。
该器件的最大功率耗散为180W,具备良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。电流增益(hFE)在Ic=4A时的典型值为25000,表明该晶体管具有较高的电流放大能力,有助于减少驱动电路的复杂性并提高整体效率。
此外,SKET801/18E 采用TO-247封装,具有优良的散热性能,适合在紧凑型电路板上使用,并能够承受较高的机械应力。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于各种严苛环境条件下的工业和汽车应用。
晶体管的过渡频率(fT)为5MHz,使其在中频应用中表现良好,适用于开关电源、逆变器和DC-DC转换器等高频电路。集电极-基极击穿电压(Vcb)和发射极-基极击穿电压(Veb)分别为100V和5V,进一步确保了器件在高压和高电流环境下的可靠性和耐用性。
SKET801/18E 功率晶体管广泛应用于多个领域,尤其是在需要高功率处理能力的电子系统中。常见的应用包括工业电机控制、电源开关电路、逆变器、DC-DC转换器以及各类功率放大器。由于其高电流容量和良好的热稳定性,该晶体管常用于电机驱动、工业自动化设备和电源管理系统。
此外,SKET801/18E 也适用于消费类电子产品中的高功率负载控制,如大功率LED照明系统、电热器和风扇控制等。在汽车电子领域,该器件可用于电动车辆的电池管理系统、车载充电器和电动助力转向系统等关键部件。
对于需要高可靠性的工业和自动化控制系统,SKET801/18E 是一个理想的选择,能够满足复杂环境下的高性能要求。
TIP142, TIP36C, 2N6387