时间：2025/6/5 12:31:53
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SI2306CDS 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET，采用小型化的 TSOT23-3 封装。该器件广泛应用于需要低导通电阻和快速开关特性的场景中。其工作电压范围为 30V，能够满足多种电源管理应用需求，例如负载开关、DC/DC 转换器、电池供电设备以及便携式电子设备等。
SI2306CDS 的设计旨在提供卓越的效率与热性能表现，同时保持较小的封装尺寸，非常适合对空间有严格限制的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流（@25℃）：1.7A
导通电阻（Rds(on)）：95mΩ（典型值，@Vgs=4.5V）
栅极电荷：3.8nC（典型值）
输入电容：160pF（典型值）
总功耗：300mW
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力使得它适合高频 DC/DC 转换应用。
3. 小型 TSOT23-3 封装节省了 PCB 空间，特别适合紧凑型设计。
4. 高雪崩能力和稳健的电气性能使其能够在严苛条件下稳定运行。
5. 支持高达 150℃ 的工作温度范围，确保在恶劣环境中的可靠性。
1. 开关电源及 DC/DC 转换器中的开关元件。
2. 手机、平板电脑和其他便携式设备中的负载开关。
3. 电池保护电路中的关键组件。
4. 各类消费类电子产品中的信号切换或功率调节。
5. 电机驱动和 LED 驱动中的功率控制单元。
SI2302DS, BSS138, SI2305DS
