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SI2306CDS-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/5 12:31:53 查看 阅读:25

SI2306CDS 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET,采用小型化的 TSOT23-3 封装。该器件广泛应用于需要低导通电阻和快速开关特性的场景中。其工作电压范围为 30V,能够满足多种电源管理应用需求,例如负载开关、DC/DC 转换器、电池供电设备以及便携式电子设备等。
  SI2306CDS 的设计旨在提供卓越的效率与热性能表现,同时保持较小的封装尺寸,非常适合对空间有严格限制的设计。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流(@25℃):1.7A
  导通电阻(Rds(on)):95mΩ(典型值,@Vgs=4.5V)
  栅极电荷:3.8nC(典型值)
  输入电容:160pF(典型值)
  总功耗:300mW
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力使得它适合高频 DC/DC 转换应用。
  3. 小型 TSOT23-3 封装节省了 PCB 空间,特别适合紧凑型设计。
  4. 高雪崩能力和稳健的电气性能使其能够在严苛条件下稳定运行。
  5. 支持高达 150℃ 的工作温度范围,确保在恶劣环境中的可靠性。

应用

1. 开关电源及 DC/DC 转换器中的开关元件。
  2. 手机、平板电脑和其他便携式设备中的负载开关。
  3. 电池保护电路中的关键组件。
  4. 各类消费类电子产品中的信号切换或功率调节。
  5. 电机驱动和 LED 驱动中的功率控制单元。

替代型号

SI2302DS, BSS138, SI2305DS

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